1D600A-030

El 1D600A-030 de Fuji Electric (familia de módulos de transistores de potencia de silicio Darlington / High-Power Bipolar Transistor Modules) es un módulo de potencia semiconductor de alta corriente de un solo elemento (Single-Transistor / 1-in-1 Darlington Power Module), diseñado para aplicaciones pesadas de conmutación de potencia en convertidores de tracción, fuentes de alimentación industriales de alta corriente, variadores de frecuencia de baja tensión, choppers para vehículos eléctricos y etapas de control de motores de CC.

Construido en una cápsula aislada de alta resistencia mecánica con base de cobre niquelado para montaje directo sobre disipador térmico, este módulo integra un par Darlington bipolar con diodo de rueda libre (Free-Wheeling Diode - FWD) de recuperación rápida conectado en antiparalelo entre colector y emisor. Soporta una tensión de bloqueo colector-emisor de 300 V y una corriente nominal continua de colector de 600 A (con picos transitorios de hasta 1200 A), ofreciendo una alta ganancia de corriente continua (hFE), un aislamiento galvánico de 2500 VAC hacia la placa base y terminales de potencia robustos con fijación por tornillo para barras colectoras.

Specs

Fabricante: Fuji Electric Co., Ltd.

Modelo / Referencia: 1D600A-030 (variante relacionada: 1D600A-030A)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111705 / Módulos de transistores Darlington de potencia)

Familia / Serie: Fuji Power Transistor Modules (Darlington Series)

Tipo de Componente: Módulo de transistor de potencia Darlington de 1 elemento (Single Darlington Power Module with FWD)

Configuración Interna: 1 transistor Darlington NPN con diodo antiparalelo de libre circulación integrado

Tipo de Montaje: Fijación por tornillos sobre disipador térmico (Heatsink Mount)

Desglose de la Nomenclatura

1: Configuración de 1 elemento / transistor individual (1-in-1)

D: Transistor de potencia bipolar tipo Darlington

600: Corriente nominal de colector de 600 A

A: Serie de diseño y generación de cápsula Fuji

-030: Tensión asignada colector-emisor de 300 V (30 x 10 V)

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Colector-Base (VCBO): 300 V

Tensión Colector-Emisor (VCER, RBE = 30 ? / VCEX): 300 V

Tensión Colector-Emisor Sustentada (VCEO(SUS)): Aprox. 250 V a 300 V

Tensión Emisor-Base (VEBO): 6.0 V a 7.0 V

Corriente Continua de Colector (IC): 600 A

Corriente de Colector de Pico (ICP): 1200 A (pulso de 1 ms)

Corriente Continua de Base (IB): Aprox. 30 A a 36 A

Corriente Continua Directa del Diodo (IF): 600 A

Disipación Total de Potencia (PC): Aprox. 2000 W a 2500 W (a Tc = 25 °C)

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 2500 VAC (50/60 Hz durante 1 minuto entre terminales y placa base)

Características Eléctricas de Operación

Corriente de Fuga Colector-Base (ICBO): Menor o igual a 2.0 mA (a VCB = 300 V)

Corriente de Fuga Emisor-Base (IEBO): Menor o igual a 400 mA (a VEB = 6 V)

Ganancia de Corriente Continua (hFE): Mínimo 100 a 200 (a IC = 600 A, VCE = 5 V)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico 1.5 V a 2.0 V (a IC = 600 A, IB = 6 A - 12 A)

Tensión de Saturación Base-Emisor (VBE(sat)): Menor o igual a 2.5 V a 3.0 V (a IC = 600 A, IB = 12 A)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típico 1.5 V a 2.0 V (a IF = 600 A)

Tiempos de Conmutación Dinámica

Tiempo de Encendido (ton): Aprox. 2.0 µs a 3.0 µs

Tiempo de Almacenamiento (tstg): Aprox. 10 µs a 15 µs

Tiempo de Caída (tf): Aprox. 2.0 µs a 3.5 µs

Tiempo de Recuperación Inversa del Diodo (trr): Aprox. 0.5 µs a 1.5 µs

Propiedades Mecánicas y Térmicas

Dimensiones Físicas: Aprox. 108 mm a 130 mm (largo) x 62 mm a 70 mm (ancho) x 40 mm a 52 mm (alto)

Terminales Principales (Colector / Emisor): Bornas roscadas para tornillos métricos M6 / M8 para conexión de pletinas de cobre

Par de Apriete al Disipador: 3.0 N·m a 4.0 N·m

Par de Apriete en Terminales de Potencia: 3.5 N·m a 4.5 N·m

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Transistor): Aprox. 0.05 °C/W a 0.06 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Diodo): Aprox. 0.12 °C/W a 0.15 °C/W

Peso Aproximado: Aprox. 600 g a 850 g

Choppers y convertidores de control de tracción para carretillas elevadoras, trenes ligeros y vehículos eléctricos de batería.

Fuentes de alimentación conmutadas industriales de alta corriente y bancos de rectificación para galvanoplastia.

Control de velocidad para grandes motores de corriente continua (DC Drive).

Inversores de conmutación de baja frecuencia para sistemas de soldadura industrial y respaldo de energía UPS.