6MBI450V-120-50

El 6MBI450V-120-50 de Fuji Electric (familia V-Series IGBT Modules) es un módulo de potencia IGBT de 6 elementos (Six-Pack / 3-Phase Inverter Bridge Module), diseñado para etapas de conmutación de inversores en convertidores de frecuencia para motores de CA, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) y equipos industriales de soldadura y generación de energía.

Construido en un encapsulado compacto con sustrato cerámico aislado de cobre adherido directamente (DBC) y base de cobre electrolítico niquelado, este módulo integra un puente trifásico completo de inversores con tecnología de compuerta en trinchera (Trench-Gate Field-Stop V-Series IGBT) y diodos FWD (Free-Wheeling Diodes) de recuperación ultrablanda. Ofrece una tensión de bloqueo colector-emisor de 1200 V y una corriente nominal continua de colector de 450 A, garantizando bajas pérdidas de conmutación y conducción, termistor NTC interno para supervisión térmica y terminales principales tipo barra con orificios roscados para tornillos métricos M6.

Specs

Fabricante: Fuji Electric Co., Ltd.

Modelo / Referencia: 6MBI450V-120-50 (6MBI450V120-50)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111718 / Módulos de potencia IGBT e inversores)

Familia / Serie: V-Series IGBT Modules (Trench Gate Technology)

Tipo de Componente: Módulo inversor trifásico IGBT de 6 elementos (Six-Pack IGBT Module)

Configuración Interna: Puente inversor trifásico de 6 IGBTs con diodos FWD antiparalelo y termistor NTC integrado

Tipo de Montaje: Fijación directa mediante 4 tornillos métricos sobre disipador térmico (Heatsink Mount)

Desglose de la Nomenclatura

6: Configuración en paquete de 6 elementos (inversor trifásico completo)

MBI: Módulo de transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT Module)

450: Corriente nominal de colector de 450 A

V: Tecnología de silicio V-Series (Trench Gate / Field-Stop)

-120: Tensión de bloqueo colector-emisor de 1200 V (120 x 10 V)

-50: Variante de encapsulado y asignación de diseño mecánico Fuji

Valores Máximos Nominales (Etapa IGBT Inversora)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): +/- 20 V continuo

Corriente Continua de Colector (IC):

A Tc = 25 °C: Aprox. 600 A

A Tc = 100 °C: 450 A

Corriente de Colector Pulsada (ICP): 900 A (1 ms)

Disipación Máxima de Potencia por Elemento (PD): Aprox. 2300 W (a Tc = 25 °C)

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 2500 VAC (50/60 Hz durante 1 minuto entre terminales y placa base)

Características Eléctricas y de Conmutación

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico 1.70 V a 1.90 V (a IC = 450 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C); aprox. 2.05 V a Tj = 150 °C

Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 6.0 V a 7.5 V (a IC = 45 mA)

Capacitancia de Entrada (Cies): Aprox. 72 nF (a VCE = 10 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz)

Tiempos de Conmutación:

Tiempo de encendido (ton): Aprox. 0.60 µs

Tiempo de caída (tf): Aprox. 0.10 µs a 0.20 µs

Tiempo de apagado (toff): Aprox. 0.85 µs

Pérdidas de Conmutación: Eon aprox. 35 mJ / Eoff aprox. 38 mJ (por ciclo a corriente nominal)

Diodo FWD (Tensión Directa VF): Típico 1.80 V a IF = 450 A

Sensor de Temperatura Integrado (Termistor NTC)

Resistencia Nominal: 5.0 k? (a 25 °C) / aprox. 493 ? (a 100 °C)

Constante B (25/50 °C): Aprox. 3375 K a 3400 K

Función: Monitoreo térmico directo de la placa base para desconexión por sobretemperatura en el controlador/driver

Características Mecánicas y Térmicas

Dimensiones Físicas: Aprox. 122.0 mm (largo) x 162.0 mm (ancho) x 17.0 mm (alto de perfil base sin incluir bornes)

Material de la Placa Base: Cobre niquelado para baja resistencia térmica

Terminales de Potencia: Terminales de tornillo métrico M6 (U, V, W, P, N)

Terminales de Control / Puerta: Terminales tipo pin para soldadura o conector rápido

Par de Apriete al Disipador: 3.5 N·m a 4.5 N·m (tornillos M5)

Par de Apriete en Terminales de Potencia: 3.5 N·m a 4.5 N·m (tornillos M6)

Temperatura Máxima de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C (máximo admisible continuo hasta +175 °C en transitorios)

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) IGBT): Aprox. 0.054 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) FWD): Aprox. 0.090 °C/W

Peso Aproximado: Aprox. 900 g a 1050 g

Condiciones Ambientales y Normativas

Aislamiento Interno: Sustrato cerámico DBC (Direct Bonded Copper)

Certificaciones y Homologaciones: Reconocimiento UL (Norma UL 1557), conformidad con directiva RoHS

Inversores de frecuencia industriales (VFD) para control de motores trifásicos de 160 kW a 250 kW.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) de gran porte y convertidores de respaldo en centros de datos.

Equipos de soldadura industrial e inversores para calentamiento por inducción.

Convertidores de potencia para sistemas de energía fotovoltaica y generadores eólicos.