CM75DUM-12F

El CM75DUM-12F de Powerex (desarrollado en alianza con Mitsubishi Electric) es un módulo de transistores bipolares de puerta aislada en puente trifásico de seis elementos (Six-Pack / 3-Phase Inverter IGBT Power Module), perteneciente a la serie IGBT F-Series, diseñado para la conversión estática de potencia, control dinámico de motores eléctricos de corriente alterna, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) y servoaccionamientos de media potencia.

Construido en una carcasa encapsulada compacta con placa base metálica aislada para transferencia térmica directa hacia disipador, incorpora seis transistores IGBT con diodos de libre circulación de recuperación rápida (FWD) conectados en antiparalelo integrados en un único bloque. Opera con una tensión asignada de ruptura colector-emisor (Vces) de 600 V y una corriente nominal continua de colector (Ic) de 75 A (con picos repetitivos de hasta 150 A). Utiliza tecnología de canal planar de bajas pérdidas por conmutación y baja tensión de saturación Vce(sat), pines de señal Faston para conexión de puerta y bornes de potencia con orificio roscado M5, garantizando aislamiento galvánico de hasta 2500 Vrms entre los elementos activos y el chasis térmico.

Specs

Fabricante: Powerex, Inc. (Powerex / Mitsubishi Electric Technology)

Modelo / Referencia: CM75DUM-12F (CM75DUM12F)

Código de Producto / UNSPSC: 39121500 / 32111700 (Módulos semiconductores IGBT / IGBT Modules)

Familia / Serie: Serie IGBT F (Trench/Planar Gate F-Series Six-Pack Modules)

Configuración del Circuito: Inversor trifásico completo de 6 etapas (Six-Pack / Three Phase Bridge Inverter)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT con diodos de recuperación ultra rápida integrados

Tipo de Montaje: Montaje superficial atornillado sobre disipador térmico mediante 4 tornillos métricos M5

Asignación de Interfaces y Conexión

Topología Eléctrica: 6 IGBTs independientes interconectados internamente como puente inversor de tres ramas (U, V, W)

Terminales Principales de Potencia (Conexión por Tornillo M5):

P: Conexión positiva del bus de CC (+DC Bus)

N: Conexión negativa del bus de CC (-DC Bus)

U, V, W: Salidas de fase trifásica hacia la carga del motor

GUP, GVP, GWP: Terminales de compuerta (Gate) para los IGBTs del lado alto (High-side)

EUP, EVP, EWP: Terminales de emisor auxiliar de control para el lado alto

GUN, GVN, GWN: Terminales de compuerta (Gate) para los IGBTs del lado bajo (Low-side)

EUN, EVN, EWN: Terminales de emisor común/auxiliar para el lado bajo

Desglose de la Nomenclatura

CM: IGBT Power Module (Módulo de potencia IGBT Powerex/Mitsubishi)

75: Corriente nominal continua de colector: 75 A

DU: Configuración de módulo tipo Six-Pack (puente trifásico inversor)

M: Tipo constructivo de encapsulado de perfil plano con bornes de potencia M5

-12: Tensión asignada de bloqueo multiplicada por 50 V (12 x 50 V = 600 V)

F: Generación tecnológica de chip F-Series (bajas pérdidas de conmutación y alta velocidad)

Especificaciones Eléctricas Absolutas (Máximos Asignados a Tj = 25 °C)

Tensión Colector-Emisor (Vces): 600 V

Tensión Puerta-Emisor (Vges): ±20 V

Corriente Continua de Colector (Ic): 75 A (a Tc = 77 °C) / 100 A (a Tc = 25 °C)

Corriente de Pico de Colector (Icm): 150 A (pulso de 1 ms)

Corriente Continua de Emisor/Diodo FWD (Ie): 75 A

Corriente de Pico de Emisor/Diodo (Iem): 150 A

Disipación Total de Potencia Máxima (Pc): Aprox. 270 W por elemento (a Tc = 25 °C)

Características Eléctricas y de Conmutación (Típicas a Tj = 25 °C)

Tensión de Saturación Colector-Emisor [Vce(sat)]: Aprox. 1.8 V a 2.1 V (a Ic = 75 A, Vge = 15 V)

Tensión Umbral de Puerta [Vge(th)]: 5.0 V a 7.0 V (a Ic = 7.5 mA)

Tensión Directa del Diodo [Vec / Vf]: Aprox. 2.4 V a Ic = 75 A

Tiempo de Encendido (ton): Aprox. 100 ns a 150 ns

Tiempo de Caída (tf): Aprox. 50 ns a 100 ns

Tiempo de Apagado (toff): Aprox. 300 ns a 400 ns

Tiempo de Recuperación Inversa del Diodo (trr): Aprox. 150 ns

Frecuencia de Conmutación Recomendada: Hasta 20 kHz (frecuencia portadora PWM)

Parámetros Térmicos y de Aislamiento

Tensión de Aislamiento Galvánico (Viso): 2500 Vrms (CA 1 minuto, entre terminales y placa base)

Resistencia Térmica Unión a Carcasa [Rth(j-c) IGBT]: Menor o igual a 0.46 °C/W por elemento

Resistencia Térmica Unión a Carcasa [Rth(j-c) Diodo]: Menor o igual a 0.85 °C/W por elemento

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador [Rth(c-f)]: Aprox. 0.035 °C/W (con pasta térmica aplicada)

Temperatura Máxima de Unión Operativa (Tj): -40 °C a +150 °C

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Carcasa termoplástica aislada con placa base de cobre niquelado

Dimensiones Físicas: Aprox. 107.0 mm (largo) x 45.0 mm (ancho) x 25.5 mm a 30.0 mm (alto)

Distancia entre Centros de Montaje: Aprox. 93.0 mm x 31.0 mm

Par de Apriete de Tornillos de Montaje (M5): 2.5 Nm a 3.5 Nm

Par de Apriete de Terminales de Potencia (M5): 2.5 Nm a 3.5 Nm

Peso Aproximado: Aprox. 350 g a 420 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Rango de Temperatura de Operación: -40 °C a +125 °C (en carcasa)

Rango de Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +125 °C

Normativas y Homologaciones: Reconocimiento de aislamiento UL Component Recognized (File E78188 / UL 1557), cumplimiento RoHS

Etapas de potencia inversora en variadores de frecuencia de baja tensión para motores de hasta 15 kW / 20 HP.

Módulos de salida en sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) y cargadores de baterías industriales.

Control de movimiento y amplificadores para servomotores AC sin escobillas (Brushless AC).

Fuentes de alimentación conmutadas industriales, máquinas de soldadura eléctrica por arco y sistemas de inducción.