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GMSI-035120TNE

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MODULOS IGBT

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DatasheetGMSI-035120TNE

35A / 1200V / 6U

IXYS

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Features

El GMSI-035120TNE es un módulo de potencia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) fabricado típicamente por compañías como IXYS (ahora parte de Littelfuse) o bajo estándares industriales para alta corriente. Este módulo está configurado como un puente trifá

Configuración: Inversor trifásico (6 IGBTs con diodos de libre circulación en un solo paquete).

Voltaje Máximo (Vces): 1200 V. (Ideal para sistemas de 380V-480V AC).

Corriente de Colector (Ic): 35 A (medida a una temperatura de carcasa controlada, usualmente 80°C).

Tecnología: NPT (Non-Punch Through) o Trench IGBT, que ofrece un equilibrio entre velocidad de conmutación y robustez ante cortocircuitos.

Vce(sat): Baja caída de voltaje en estado de conducción para minimizar pérdidas de calor.

Carcasa: E1 o similar, un formato compacto para montaje en placa de circuito impreso (PCB).

Aislamiento: Placa base de cobre aislada mediante cerámica (DCB - Direct Copper Bonded), permitiendo el montaje directo sobre un disipador de calor sin necesidad de aislantes externos adicionales.

Terminales: Pines diseñados para ser soldados directamente a la PCB, lo que reduce la inductancia parásita y facilita la fabricación automatizada.

Protección: Incluye diodos de protección integrados para manejar las corrientes inversas generadas por las cargas inductivas (motores).

Aplications

Variadores de Frecuencia (VFD) Compactos: Para motores industriales de hasta 7.5 kW (10 HP) aproximadamente.

Sistemas de Aire Acondicionado Industrial: Control de compresores en sistemas HVAC de gran escala.

Servodrives: Control de precisión en brazos robó

Fuentes de Alimentación (UPS): Inversores trifásicos para respaldos críticos en servidores o equipos médicos.

Bombas de Agua y Ventiladores: Regulación de flujo eficiente en plantas de tratamiento o edificios comerciales.

GMSI-035120TNE

Références spécifiques

MPN
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