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SEMIX904GB126HD

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MODULOS IGBT

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DatasheetSEMIX904GB126HD

900A/1200V

SEMIKRON

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Features

El SEMIX904GB126HD es un módulo de potencia de Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) de alta gama, diseñado y fabricado por la firma alemana Semikron (actualmente parte de Semikron Danfoss), uno de los líderes globales más importantes en semiconductores de potencia.

Este robusto componente pertenece a la reconocida familia de encapsulados SEMiX y está clasificado técnicamente como un módulo de topología GB (Half-Bridge / Medio Puente) que integra la avanzada tecnología de chip Trench y Field-Stop IGBT. Está diseñado específicamente para actuar como la etapa de conmutación de fuerza principal en inversores industriales de alta potencia, servodrives pesados y sistemas de energía renovable.

Parámetros Eléctricos y Límites de Seguridad

Las especificaciones nominales de este módulo SEMiX definen sus límites críticos de operación en entornos de alta tensión:

Voltaje Colector-Emisor Máximo (Vces): 1,200 Voltios (V). Esta alta tolerancia al voltaje le permite operar de forma segura en líneas de alimentación industriales trifásicas estándar de 380V, 440V y 480V CA, siendo altamente inmune a los picos de voltaje inducidos por el frenado o la conmutación de motores grandes.

Corriente de Colector Nominal (Ic): 900 Amperios (A) continuos a una temperatura controlada del chasis de 25 °C (o aproximadamente 600 A a una temperatura de trabajo real de 80 °C). Su capacidad de corriente pico transitoria de corta duración alcanza los 1,800 A para absorber las corrientes de irrupción iniciales de la maquinaria.

Tecnología del Chip: Trench IGBT. El diseño de compuerta en zanja (Trench) reduce drásticamente el voltaje de saturación en estado de conducción (VCE(sat))

lo que disminuye drásticamente las pérdidas de energía por calor y eleva la eficiencia general del inversor.

Configuración y Componentes Internos (Half-Bridge)

El sufijo GB en la nomenclatura certifica una topología de Medio Puente. En una sola carcasa, el módulo aloja dos transistores IGBT conectados en serie con sus respectivos componentes auxiliares:

Dos IGBTs en Serie: Ideales para formar una de las tres fases de un inversor trifásico (se requieren tres módulos SEMiX904 para controlar un motor trifásico completo).

Diodos de Marcha Libre CAL (Controlled Axial Lifetime): Cada IGBT tiene conectado en paralelo inverso un diodo de conmutación rápida y suave. Estos diodos protegen al silicio de los transistores contra las corrientes inductivas inversas destructivas generadas por los devanados del motor cuando el IGBT se apaga.

Sensor de Temperatura Integrado (NTC Thermistor): Incorpora un termistor interno variable pegado a la placa base. Permite que la tarjeta de control del variador monitoree en tiempo real la temperatura interna del silicio y dispare un paro de emergencia por sobretemperatura antes de que los transistores sufran una degradación térmica destructiva.

Características de Construcción Mecánica y Conectividad

La arquitectura física de la serie SEMiX de Semikron está diseñada bajo estrictos estándares de optimización de espacio y fiabilidad:

Formato de Perfil Bajo SEMiX 4s: Presenta un diseño plano y rectangular que optimiza la distribución de las barras de distribución de cobre (busbars) de fuerza dentro del gabinete, minimizando la inductancia parásita del circuito.

Pines de Control Separados: Las terminales de control para el disparo de las compuertas (Gates) y emisores auxiliares están dispuestas para una conexión limpia a la tarjeta de circuito impreso del Gate Driver, mientras que las conexiones de fuerza (Colector y Emisor principal) utilizan robustas terminales de tornillo de servicio pesado en la cara superior.

Placa Base de Cobre Aislada: La base inferior de cobre macizo está totalmente aislada eléctricamente de los componentes activos internos mediante cerámica de alta conductividad térmica (nitruro de aluminio). Esto permite atornillar el módulo directamente sobre un disipador de calor de aluminio refrigerado por aire forzado o líquido (usando pasta de transferencia térmica) sin riesgo de cortocircuitos.

Aplications

Debido a su colosal capacidad de 900A y 1200V con tecnología Trench, el Semikron SEMIX904GB126HD es una refacción de cabecera en:

Variadores de Frecuencia (VFD) de Alta Potencia: Utilizado en inversores encargados de regular la velocidad y el torque de motores eléctricos gigantes en molinos de cemento, extrusoras de plástico pesadas y bombas de perforación minera.

Inversores de Energía Eólica y Solar Comercial: Etapas de conversión de potencia a gran escala encargadas de sincronizar e inyectar la energía generada por aerogeneradores o campos fotovoltaicos hacia la red eléctrica de alta tensión.

Sistemas de Tracción Eléctrica y Grúas Viajeras Pesadas: Controladores de movimiento para locomotoras de patio, grúas pórtico de puertos marítimos y vehículos industriales de gran tonelaje.

Fuentes de Poder para Soldadura de Arco y Calentamiento por Inducción: Etapas inversoras primarias en sistemas de fundición de metales por inducción de alta frecuencia.

SEMIKRON
SEMIX904GB126HD

Références spécifiques

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SEMIX904GB126HD
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