5STP12F4200

El 5STP12F4200 de ABB (Hitachi Energy Semiconductors) es un tiristor de control de fase de alta potencia en formato de disco prensado (Phase Control Thyristor - Hockey Puck / Press-Pack), diseñado para la rectificación controlada, conmutación estática y control de potencia en transmisión HVDC, compensadores estáticos de reactivos (SVC), variadores de velocidad de media tensión y rectificadores para electrólisis o tracción ferroviaria.

Fabricado con tecnología de unión de silicio con difusión optimizada en una cápsula hermética de cerámica con sellado metal-cerámica y superficies de contacto de cobre niquelado, está concebido para montaje bajo presión con refrigeración por ambas caras (Double-Side Cooled). Soporta una tensión máxima de pico repetitiva en estado de bloqueo directo e inverso de 4200 V y una corriente nominal eficaz en estado de conducción superior a los 2000 A (con corriente media de aprox. 1150 A a 1300 A según la temperatura del encapsulado), ofreciendo una elevada capacidad de sobrecorriente transitoria y bajas caídas de tensión en conducción para maximizar el rendimiento energético en aplicaciones de gran envergadura.

Specs

Fabricante: ABB (Hitachi Energy Semiconductors)

Modelo / Referencia: 5STP12F4200 (5STP 12F4200)

Código de Producto / UNSPSC: 32111702 (Tiristores / Thyristors)

Familia / Serie: Phase Control Thyristors (PCT) / Press-Pack Series

Tipo de Componente: Tiristor de control de fase en disco (Phase Control Thyristor Hockey Puck)

Tipo de Montaje: Montaje prensado (Press-pack clamping) entre disipadores con fuerza de apriete calibrada

Asignación de Interfaces y Conexiones

Superficies Principales de Potencia:

Cara de contacto superior / inferior: Ánodo (A) y Cátodo (K) para montaje por compresión mecánica y refrigeración bifacial

Conexión de Disparo (Gate / G):

Terminal auxiliar para conector de puerta (Gate Lead)

Terminal auxiliar de cá

Desglose de la Nomenclatura

5STP: Prefijo de tiristor de control de fase de disco de ABB

12: Código representativo de la capacidad de corriente media asignada (aprox. 1200 A)

F: Tamaño de oblea de silicio y tipo de encapsulado mecánico

4200: Tensión de pico repetitiva máxima de bloqueo: 4200 V (4.2 kV)

Especificaciones Eléctricas de Bloqueo y Conducción

Tensión de Pico Repetitiva en Estado de Bloqueo Directo e Inverso (VDRM / VRRM): 4200 V

Tensión de Pico No Repetitiva (VDSM / VRSM): Hasta 4400 V

Corriente Eficaz Nominal en Conducción (ITRMS): Aprox. 2000 A a 2500 A

Corriente Media Nominal en Estado de Conducción (ITAV): 1150 A a 1250 A (con refrigeración por ambas caras a temperatura de carcasa de 70 °C - 85 °C)

Corriente de Sobrecarga Transitoria No Repetitiva (ITSM): Aprox. 16 kA a 19 kA (pulso senoidal de 10 ms a 50 Hz)

Valor Límite de Integración Térmica (I²t): Aprox. 1.2 x 10? A²s a 1.8 x 10? A²s

Caída de Tensión Máxima en Estado de Conducción (VT): Aprox. 1.8 V a 2.3 V (a corriente de pico nominal)

Velocidad Crítica de Elevación de Tensión en Bloqueo (dv/dt): Mínimo 1000 V/µs a 2000 V/µs

Parámetros de Disparo de Puerta (Gate)

Tensión de Disparo de Puerta (VGT): Máximo 3.0 V (a 25 °C)

Corriente de Disparo de Puerta (IGT): Máximo 300 mA a 400 mA (a 25 °C)

Velocidad Crítica de Crecimiento de Corriente (di/dt): Hasta 100 A/µs a 200 A/µs en conmutación de circuito

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Cápsula cerámica hermética de disco prensado (Ceramic Press-Pack Housing)

Fuerza de Apriete Mecánica Requerida: Aprox. 20 kN a 28 kN (fuerza de montaje para disipador)

Diámetro Exterior Total: Aprox. 75 mm a 80 mm

Diámetro de la Superficie de Contacto: Aprox. 45 mm a 50 mm

Espesor / Altura del Encapsulado: Aprox. 26 mm a 35 mm

Peso Aproximado: Aprox. 500 g a 700 g

Propiedades Térmicas y Operativas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rthjc): Menor a 0.02 K/W (con refrigeración por ambas caras)

Rango de Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +125 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +150 °C

Método de Refrigeración Recomendado: Refrigeración por convección forzada de aire o por líquido con bloques disipadores de cobre/aluminio a doble cara

Puentes rectificadores tiristorizados para sistemas de transmisión de energía en corriente continua (HVDC).

Compensación estática de potencia reactiva (SVC) y filtros activos de potencia.

Arrancadores suaves de media tensión y accionamientos para motores sincrónicos y de inducción pesados.

Rectificadores de alta intensidad para plantas de electroobtención, reducción de aluminio y cloro-álcali.