• On request
SKT1200/16E
search
  • SKT1200/16E
  • SKT1200/16E

SKT1200/16E

197,80 $
Aucune taxe

SCR - THYRISTOR CONTROL DE FASE

Última actualización

DatasheetSKT1200/16E

1200A/1600V/1U

SEMIKRON

Delivery time : 1-2 semanas.

Alternativas del producto : SKT1200/18E ST1230C18K0L

Quantité
On request

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

El SKT1200/16E es un tiristor de control de fase de gran potencia (SCR) fabricado por la firma alemana Semikron. Este semiconductor está diseñado en un encapsulado hermético de tipo cápsula o disco (press-pack), una arquitectura que prescinde de terminales soldados internos. En su lugar, el dispositivo depende por completo de una fuerte presión mecánica externa para asegurar el contacto eléctrico y térmico por ambas caras (double-side cooling).

Dentro de la prestigiosa familia SKT1200, la variante 16E ofrece un equilibrio óptimo de aislamiento, diseñado específicamente para operar con total seguridad en líneas comerciales trifásicas expuestas a ruidos eléctricos pesados y picos transitorios severos.

Parámetros Eléctricos Importantes

Este dispositivo combina una alta capacidad de bloqueo de tensión con una robusta conducción de corriente para aplicaciones industriales de gran envergadura:

Voltaje Reverso Máximo Repetitivo (Vrrm) y de Bloqueo Directo (Vdrm): 1600 Voltios (V) (indicado por el código 16 en su nomenclatura). Es el límite de tensión eléctrica que el tiristor puede contener de forma segura en estado de apagado sin sufrir una ruptura dieléctrica.

Corriente Media en Estado de Conducción (It av): 1200 Amperios (A) medidos continuamente bajo una temperatura de carcasa controlada de 85 °C (asociado al código 1200).

Corriente RMS en Estado de Conducción (It rms): Hasta 2300 Amperios (A) empleando sistemas de refrigeración líquida o disipadores de aluminio sobredimensionados por ambas caras.

Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (Itsm): Capacidad para resistir un pulso transitorio de cortocircuito masivo de hasta 24,500 Amperios (24.5 kA) en un intervalo de 10 milisegundos (a una frecuencia de 50 Hz).

Velocidad Crítica de Elevación de Voltaje (dv/dt): 1000 Voltios por microsegundo, lo que le otorga una excelente inmunidad contra disparos involuntarios provocados por armónicos, picos de conmutación o ruidos en la red.

Corriente de Disparo de Compuerta Mínima (Igt): Hasta 250 miliamperios (mA) a una temperatura ambiente de 25 °C para garantizar el cebado o encendido completo de la pastilla de silicio.

Dimensiones Físicas y Montaje Mecánico

El diseño plano tipo press-pack distribuye la fuerza de forma uniforme, eliminando la resistencia térmica y eléctrica de contacto:

Tipo de Encapsulado: Cápsula cerámica hermética estándar de Semikron (geometría de carcasa clasificada industrialmente como TO-200AD o similares).

Diámetro Total Exterior: En el rango de los 73 a 75 milímetros (mm).

Diámetro de las Superficies de Contacto Útiles (Ánodo/Cátodo): Cerca de 47 a 50 mm.

Espesor o Altura Total del Disco: Aproximadamente 26 mm.

Fuerza de Sujeción Mecánica Requerida: Para evitar la fatiga por expansión térmica y asegurar que no queden huecos de aire internos, se debe aplicar una fuerza de compresión externa calibrada mediante abrazaderas industriales (clamps) de entre 22 y 28 kilonewtons (kN) (equivalente a aplicar entre 2.2 y 2.8 toneladas de presión métrica).

Conexiones e Interfaz de Control

La arquitectura de este SCR está optimizada para expandir el flujo de electrones de forma radial y simétrica:

Estructura del Semiconductor: Oblea monolítica de silicio de gran diámetro con una disposición clásica de cuatro capas semiconductoras dopadas alternadamente (P-N-P-N).

Terminales de Fuerza Principales: Las dos caras circulares planas de metal pulido actúan directamente como el Ánodo y el Cátodo. Las barras colectoras de cobre de la instalación eléctrica se prensan directamente contra estas superficies.

Conexión de Control (Compuerta/Gate): Dispone de un cable flexible delgado con terminal tipo faston o un pin metálico ubicado en la banda aislante de cerámica central. Internamente cuenta con una geometría de compuerta amplificadora (amplifying gate) que aprovecha la propia energía de la línea de fuerza para propagar el encendido por todo el silicio en pocos microsegundos.

Aplications

Debido a su colosal capacidad combinada de 1600 V y 1200 A, el Semikron SKT1200/16E es una pieza fundamental en:

Rectificadores Industriales Controlados: Puentes de tiristores utilizados en subestaciones de soldadura pesada, plantas de electrólisis química para la producción de gases o metales, y sistemas de tracción eléctrica.

Arrancadores Suaves de Motores (Soft Starters): Control de arranque y parada progresiva en motores trifásicos gigantescos utilizados en la industria minera, molinos de cemento, bandas transportadoras pesadas y estaciones de bombeo de agua residual.

Controladores de Velocidad para Motores de CD (DC Drives): Regulación precisa de velocidad y torque para motores de corriente directa de gran caballaje en trenes de laminación de acero, grúas portuarias y plantas papeleras.

Sistemas de Calefacción por Inducción Electromagnética: Regulación del paso de energía en hornos de fundición de metales y tratamientos térmicos industriales de gran escala.

Interruptores de Estado Sólido de Corriente Alterna (AC Breakers): Reemplazo de contactores electromecánicos mecánicos para conmutar de forma rápida y libre de arcos eléctricos cargas inductivas o resistivas masivas en la red.

Semikron Phase Control SCRs, SKT1200 Series

Semikron

SKT1200/16E

SCR, TO-200AD, 1600V, 1200A ; Package Style; TO-200AD

Vrrm (volts); 1600 Volts

Vdrm (volts); 1600 Volts

It (rms) Amps; 2800 Amps

It (avg) Amps; 1200 Amps

Itsm Amps; 30000 Amps

di/dt (A/microseconds); 125

dv/dt (V/microseconds); 1000

I2T@50Hz (A2Sec); 4500000

Vtm (volts); 1.65 Volts

tq (microseconds); 250 MicroSeconds

Irrm Peak (mA); 100 MilliAmps

Idrm Peak (mA); 100 MilliAmps

Igt (mA); 250 MilliAmps

Vgt (volts); 3 Volts

Puck Size (h x dia.) in.; 1x3

Junction Temp.; 257 Degrees F

Mounting Force; 22~25 kN

RoHS; Yes

Diag. No.; SEKG_SCR_DIAG_B14

SEMIKRON
SKT1200/16E

Références spécifiques

MPN
SKT1200/16E
Commentaires (0)
Aucun avis n'a été publié pour le moment.