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FS10ASJ-06

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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA

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DatasheetFS10ASJ-06

10A/60V/1U

MITSUBISHI

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Features

High-Speed Switching N Channel MOS FET

Drive voltage : 4 V

VDSS : 60 V

IDS(ON) (max) : 70mOhms

Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP) : 30 ns

Aplications

Semiconductors High Power Equipment Repair

MITSUBISHI
FS10ASJ-06

Références spécifiques

MPN
FS10ASJ-06
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