SD2932W

El SD2932W (referencia base SD2932) de STMicroelectronics es un transistor MOSFET de potencia de canal N para radiofrecuencia en configuración push-pull / balanceada (N-Channel Enhancement-Mode Lateral RF Power MOSFET), diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia lineal y continua en transmisores de radiodifusión FM/VHF, generadores de plasma industrial, sistemas de comunicaciones militares y equipos de resonancia magnética (MRI).

Diseñado para operar con una tensión de alimentación continua de drenador de 50 V, este dispositivo entrega una potencia de salida de pico/continua de hasta 300 W a 350 W en el rango de frecuencias de HF a VHF (hasta 250 MHz) con una ganancia de potencia típica de 15 dB a 16 dB y una eficiencia de drenador superior al 60%. Se presenta en un encapsulado metálico-cerámico hermético con brida para montaje por tornillos tipo M174 (SOT-121 / 4-lead balanced flange) con doble sección de transistor emparejada internamente para topologías push-pull de alta simetría y disipación térmica optimizada.

Specs

Fabricante: STMicroelectronics

Modelo / Referencia Completa: SD2932W (SD2932)

Familia / Tipo: RF Power Transistors / N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

Tipo de Componente: Transistor MOSFET de potencia para RF en configuración Push-Pull

Tipo de Encapsulado: M174 (SOT-121 / Encapsulado cerámico balanceado con brida de montaje)

Desglose de la Nomenclatura

SD: Transistor de potencia RF de STMicroelectronics

29: Familia de MOSFETs de tecnología DMOS/VDMOS para 50 V

32: Versión push-pull de alta potencia (doble chip balanceado)

W: Variante con encapsulado cerá

Valores Máximos Absolutos (Tc = 25 °C por sección o dispositivo total según aplique)

Tensión Drenador-Fuente (VDSS): 125 V

Tensión Drenador-Puerta (VDGO): 125 V (RGS = 20 kOhmios)

Tensión Puerta-Fuente (VGS): +/- 20 V

Corriente Continua de Drenador (ID): 20 A (por rama) / hasta 40 A total

Disipación Total de Potencia (Ptot a Tc = 25 °C): Aprox. 500 W a 600 W

Temperatura de Unión en Operación (Tj): -65 °C a +200 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -65 °C a +150 °C

Características Eléctricas Estáticas (Tj = 25 °C)

Tensión de Ruptura Drenador-Fuente (V(BR)DSS): Mínimo 125 V (VGS = 0 V, ID = 100 mA)

Corriente de Fuga Drenador-Fuente en Corte (IDSS): Máx. 5.0 mA (VDS = 50 V, VGS = 0 V)

Corriente de Fuga Puerta-Fuente (IGSS): Máx. 1.0 µA (VGS = 20 V, VDS = 0 V)

Tensión de Umbral de Puerta (VGS(th)): 1.5 V a 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 250 mA)

Tensión Drenador-Fuente en Saturación (VDS(on)): Aprox. 1.6 V a 2.5 V (VGS = 10 V, ID = 10 A)

Rendimiento en Radiofrecuencia (RF Characteristics a VDD = 50 V, f = 108 MHz / 175 MHz)

Potencia de Salida (Pout): 300 W a 350 W CW (onda continua)

Ganancia de Potencia (Gp): Típica 15 dB a 17 dB

Eficiencia de Drenador (Drain Efficiency): >= 60% a 70%

Rango de Frecuencia de Trabajo: 1 MHz a 250 MHz (bandas HF, VHF y FM)

Capacidad de Carga Desadaptada (Load Mismatch VSWR): Resistencia a desadaptaciones de hasta 20:1 en todas las fases a potencia nominal

Capacitancias Parásitas

Capacitancia de Entrada (Ciss): Aprox. 400 pF a 480 pF (por sección a VDS = 50 V, f = 1 MHz)

Capacitancia de Salida (Coss): Aprox. 200 pF a 240 pF (por sección a VDS = 50 V, f = 1 MHz)

Capacitancia de Transferencia Inversa (Crss): Aprox. 12 pF a 18 pF (por sección a VDS = 50 V, f = 1 MHz)

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.35 °C/W a 0.40 °C/W

Configuración de Terminales (Pinout M174):

Terminales de Puerta: Puerta 1 / Puerta 2 (Gates balanceadas)

Terminales de Drenador: Drenador 1 / Drenador 2 (Drains balanceados)

Brida / Base Metálica: Fuente común (Source / Tierra de RF y térmica)

Montaje Mecánico: Montaje directo sobre disipador mediante tornillos a través de orificios de la brida

Amplificadores de potencia para transmisores de radiofrecuencia en FM comercial (87.5 - 108 MHz).

Generadores de excitación para plasma de RF e implante iónico en la industria de semiconductores.

Equipos de diagnóstico por resonancia magnética nuclear (MRI / NMR).

Amplificadores de potencia para comunicaciones militares y radioafición en bandas VHF.

Sistemas de calentamiento por RF, secado dieléctrico y fuentes industriales de alta frecuencia.