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2SC3669
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Features
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.5V (Max.)
High Speed Switching Time : tstg_1.0us (Typ.)
Complementary to 2SA1429
Aplications
Applications
Power Amplifier
Power Switching
2SC3669
Références spécifiques
- MPN
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