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Features
Silicon PNP Power Transistor
Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V(BR)CEO= 250V (min)
Pc = 150W(Max) @ Tc-25 C
High Current Capability
Complement to Type 2SD583
Aplications
Applications
Designed for high power amplifier and switching
2SB613
Références spécifiques
- MPN
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