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MCD95-16 io1B

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DatasheetMCD95-16 io1B

116A/1600V/2U

IXYS

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Features

El MCD95-16 io1B (o MCD95-16io1B) de IXYS Corporation / Littelfuse (familia TO-240AA Dual Thyristor/Diode Modules) es un módulo de potencia híbrido de dos ramas tiristor-diodo (Thyristor/Diode Module / Half-Controlled Phase-Leg), diseñado para aplicaciones de rectificación semicontrolada, control de potencia por ángulo de fase, arrancadores suaves (soft starters) para motores de inducción, convertidores de corriente continua y regulación de calefacción industrial.

Fabricado en una carcasa industrial estandarizada TO-240AA con placa base de cobre aislada mediante sustrato cerámico de alúmina (Al2O3 DBC) para montaje directo sobre disipador térmico, integra un tiristor de control de fase y un diodo de potencia conectados internamente en cátodo común / serie (rama de puente semicontrolado). Soporta una tensión repetitiva máxima de bloqueo inverso y directo de 1600 V, corriente nominal media de conducción de 95 A a 85 °C (corriente eficaz IT(RMS) / IF(RMS) de hasta 180 A), aislamiento galvánico reforzado de hasta 3600 VAC, terminales de potencia de tornillo M5 cautivos y pines gemelos para puerta y cátodo auxiliar en versión 1B para conexión por enchufe rápido.

Specs

Fabricante: IXYS Corporation (Littelfuse Inc.)

Modelo / Referencia: MCD95-16 io1B (MCD95-16io1B)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111706 / Módulos de tiristor-diodo / Power Semiconductor Modules)

Familia / Serie: Serie MCD / TO-240AA Thyristor/Diode Modules

Tipo de Componente: Módulo híbrido tiristor-diodo de potencia (Thyristor / Diode Module)

Configuración Interna: 1 Tiristor + 1 Diodo en serie / rama de medio puente (cátodo común en terminal principal)

Tipo de Montaje: Fijación mediante 2 tornillos sobre disipador térmico con placa base de cobre aislada

Desglose de la Nomenclatura

MC: Módulo semiconductor de potencia IXYS (Module Controlled)

D: Configuración de rama mixta tiristor-diodo (Thyristor-Diode)

95: Corriente media en estado de conducción nominal de aprox. 95 A a 85 °C

-16: Tensión repetitiva asignada de 1600 V (16 x 100 V)

io1B: Configuración de terminales (conexiones principales estándar con pines dobles para puerta y cátodo)

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Repetitiva de Pico en Bloqueo (VDRM / VRRM): 1600 V

Tensión no Repetitiva de Pico (VDSM / VRSM): 1700 V

Corriente Nominal Media Directa (ITAV / IFAV): 95 A (a Tc = 85 °C) / hasta 116 A (a Tc = 64 °C)

Corriente Eficaz Nominal (ITRMS / IFRMS): 180 A (116 A continuo a carga plena)

Corriente de Sobretensión no Repetitiva (ITSM / IFSM): Aprox. 2250 A (pulso medio seno 10 ms a Tj = 125 °C)

Valor Integral de Corriente (I²t): Aprox. 25,000 A²s (para cálculo y selección de fusibles de protección rápida)

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 3600 VAC (50/60 Hz, 1 segundo) / 3000 VAC (1 minuto)

Tasa Crítica de Subida de Tensión (dv/dt): Mínimo 1000 V/µs (a Tj = 125 °C)

Tasa Crítica de Subida de Corriente (di/dt): 150 A/µs (servicio repetitivo)

Características de Disparo de Puerta (Gate)

Tensión de Disparo de Puerta (VGT): Menor o igual a 2.5 V (a Tj = 25 °C)

Corriente de Disparo de Puerta (IGT): Aprox. 100 mA a 150 mA (a Tj = 25 °C)

Tensión de No Disparo de Puerta (VGD): 0.25 V (a Tj = 125 °C)

Pérdida Máxima de Potencia en Puerta (PGM): 10 W (pico transitorio)

Características Eléctricas en Conducción

Tensión Directa en Conducción del Tiristor (VT): Típico 1.45 V a 1.6 V (a IT = 300 A, Tj = 25 °C)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típico 1.40 V a 1.55 V (a IF = 300 A, Tj = 25 °C)

Corriente Inversa y de Fuga (IDRM / IRRM): Menor o igual a 5 mA a 10 mA (a tensión asignada máxima, Tj = 125 °C)

Propiedades Térmicas y Mecánicas

Formato de Encapsulado: Estándar industrial JEDEC TO-240AA

Dimensiones Físicas: Aprox. 92 mm (largo) x 20 mm (ancho) x 30 mm (alto)

Aislamiento de la Placa Base: Sustrato cerámico de alúmina (Al2O3) unido por unión directa de cobre (DBC)

Terminales de Potencia: Terminales roscados métricos M5 cautivos

Terminales de Control: Pines dobles (Twin pins) para puerta y cátodo auxiliar

Par de Apriete al Disipador (Tornillos M5): 4.0 N·m a 5.0 N·m

Par de Apriete de Bornes Eléctricos (Tornillos M5): 2.5 N·m a 4.0 N·m

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.28 °C/W por rama

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +125 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Peso Aproximado: Aprox. 100 g a 120 g

Normativas y Homologaciones

Aislamiento Eléctrico: Reconocido bajo normativa UL (archivo UL E72873)

Conformidad Medioambiental: Marcado CE, directiva RoHS

Aplications

Rectificadores de control de fase en fuentes de alimentación industriales de corriente continua.

Arrancadores suaves de estado sólido (Soft Starters) para motores trifásicos de inducción.

Control de velocidad en accionamientos y convertidores para motores de CC.

Control de temperatura en hornos industriales mediante resistencias eléctricas y modulación por ángulo de fase.

Sistemas de carga de baterías de alta potencia y unidades de respaldo ininterrumpido.

MCD95-16 io1B

Références spécifiques

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