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MJ11016
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Features
Darlington Transistor
High Gain Darlington Performance
High DC Current Gain hFE = 1000(Min) @ IC=20A
Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistor
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
Miscellaneous * Semiconductor
Miscellaneous
MJ11016
Semiconductor
MJ11016
Références spécifiques
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