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Features
Silicon N-Channel MOS Type Transistor
Low drain-source ON resistance : RDS(ON) = 1.6 Ohms (typ.)
High forward transfer admittance : Yfs = 5.0 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 uA (max) (VDS = 720 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0 - 4.0 V (VDS=10 V, ID = 1mA)
Aplications
Applications
Switching Regulator
TK07H90A
Références spécifiques
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