SKKH280/22EH4

El SKKH280/22EH4 (referencia de fabricante SKKH 280/22 E H4) de SEMIKRON (Semikron Danfoss) es un módulo semiconductor de potencia con topología de tiristor y diodo en conexión serie (Thyristor / Diode Power Module), perteneciente a la familia estándar industrial SEMIPACK 3, diseñado para la rectificación controlada, control de fase de corriente alterna, regulación de potencia en calentamiento industrial por inducción o resistencia, arrancadores suaves (soft starters) para motores de media y alta potencia, y convertidores de tracción o soldadura.

Construido en un bastidor de potencia SEMIPACK 3 con placa base de cobre aislada galvánicamente mediante sustrato cerámico de nitruro de aluminio (AlN) o alúmina de alta transferencia térmica, cuenta con terminales principales roscados M8 para barras colectoras y conectores planos tipo Faston para la excitación de disparo de compuerta. Opera con una tensión máxima repetitiva de pico en bloqueo directo e inverso (VDRM / VRRM) de 2200 V, una corriente media nominal en conducción continua (IT(AV)) de 280 A (a temperatura de carcasa Tc = 85 °C) y una corriente eficaz admisible (ITRMS) de hasta 440 A, con capacidad para soportar corrientes de sobretensión no repetitivas de hasta 9000 A (9.0 kA), ofreciendo alta resistencia al ciclado térmico y compatibilidad con redes de alimentación de 600 V a 690 VAC con amplio margen de seguridad frente a transitorios.

Specs

Fabricante: SEMIKRON (Semikron Danfoss)

Modelo / Referencia: SKKH280/22EH4 (SKKH 280/22 E H4 / SKKH280-22EH4)

Código de Producto / UNSPSC: 32111601 / 39122000 (Módulos de tiristores y diodos de potencia / Thyristor-Diode Modules)

Familia / Serie: Serie SEMIPACK 3

Tipo de Componente: Módulo híbrido de potencia de Tiristor (SCR) + Diodo rectificador

Tipo de Montaje: Montaje superficial atornillado sobre disipador térmico mediante 2 tornillos M6 con pasta térmica

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Terminales de potencia roscados hembra M8 sobre barras colectoras y terminales auxiliares de control tipo Faston de 2.8 mm x 0.8 mm

Distribución de Pines / Bornes:

Terminal 1: Ánodo del Tiristor principal (A1)

Terminal 2: Cátodo del Tiristor / Ánodo del Diodo rectificador (Punto común de fase / AC)

Terminal 3: Cátodo del Diodo rectificador (K2)

Terminal K (Cátodo auxiliar 1): Retorno de señal de compuerta / referencia de cátodo

Desglose de la Nomenclatura

SK: Identificador estándar de semiconductores de SEMIKRON

K: Módulo con placa base aislada (Isolated baseplate)

H: Topología de circuito: Tiristor en rama superior con diodo en rama inferior (Thyristor / Diode series pair)

280: Corriente media nominal en estado de conducción: 280 A (a Tc = 85 °C)

/: Separador estándar de código

22: Tensión máxima de bloqueo dividida entre 100: 2200 V (VDRM / VRRM)

E: Clase constructiva y generación de chip de silicio de baja caída en directa

H4: Código de aislamiento reforzado para alta tensión (aislamiento de prueba de hasta 4.0 kV RMS / 4.8 kV)

Especificaciones de Tensión y Bloqueo

Tensión Máxima Repetitiva de Pico en Bloqueo (VDRM / VRRM): 2200 V

Tensión No Repetitiva de Pico Inversa (VRSM): 2300 V

Corriente de Fuga Inversa / Directa de Pico (IDRM / IRRM): Máximo 80 mA a 100 mA (a Tj = 130 °C, V = VDRM/VRRM)

Tasa Crítica de Elevación de Tensión en Bloqueo (dv/dt): Mínimo 1000 V/µs (a Tj = 130 °C)

Especificaciones Eléctricas de Conducción y Potencia

Corriente Media Nominal en Estado de Conducción (IT(AV)): 280 A (a Tc = 85 °C, medio ciclo senoidal 180°)

Corriente Eficaz de Estado de Conducción (ITRMS): Aprox. 440 A continuo

Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (ITSM / IFSM): 9000 A (9.0 kA a Tj = 25 °C, pulso de 10 ms) / 8000 A (a Tj = 130 °C)

Valor Límite de Integración Térmica (I²t): 405,000 A²s (a Tj = 25 °C, 10 ms) / 320,000 A²s (a Tj = 130 °C)

Tensión en Conducción Directa Máxima (VT / VF): Máximo 1.45 V a 1.65 V (a IT = 800 A, Tj = 25 °C)

Tensión de Umbral (VT(TO)): Aprox. 0.85 V a 0.95 V (a Tj = 130 °C)

Resistencia Interna de Pendiente (rT): Aprox. 0.7 m? (a Tj = 130 °C)

Tasa Crítica de Subida de Corriente en Conducción (di/dt): Máximo 200 A/µs

Parámetros de Disparo de Compuerta (Gate)

Tensión de Disparo de Compuerta (VGT): Mínimo 2.5 V a 3.0 V (a Tj = 25 °C, VDC = 6 V)

Corriente de Disparo de Compuerta (IGT): Mínimo 150 mA a 200 mA (a Tj = 25 °C, VDC = 6 V)

Tensión de No Disparo de Compuerta (VGD): Máximo 0.25 V (a Tj = 130 °C)

Corriente de No Disparo de Compuerta (IGD): Máximo 10 mA (a Tj = 130 °C)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tamaño de Bastidor / Formato: Carcasa estándar SEMIPACK 3

Dimensiones Físicas: 115.0 mm (largo) x 50.0 mm (ancho) x 52.0 mm (altura total sobre terminales roscados)

Distancia entre Centros de Fijación a Disipador: 80.0 mm (2 orificios de montaje para tornillos M6)

Materiales: Placa base de cobre niquelado; carcasa de termoplástico reforzado autoextinguible (UL 94V-0); aislador cerámico interno DBC

Conexiones / Bornes: Bornes principales roscados M8 (par de apriete: 9.0 N·m a 12.0 N·m); tornillos de montaje M6 (par de apriete: 4.0 N·m a 6.0 N·m)

Peso Aproximado: Aprox. 550 g a 600 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de Unión (Tj): -40 °C a +130 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +130 °C

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): 0.12 K/W por tiristor / 0.06 K/W por módulo completo

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador (Rth(c-s)): 0.03 K/W por módulo (con compuesto térmico adecuado)

Tensión de Aislamiento Eléctrico (VISOL): 4000 VAC RMS (4.0 kV durante 1 minuto, 50 Hz hacia disipador)

Normativas y Homologaciones: Reconocimiento cULus (archivo UL E63532), marcado CE, conformidad con directiva RoHS

Rectificadores controlados y semicontrolados para puentes trifásicos en fuentes de corriente continua industriales.

Arrancadores suaves de estado sólido (Soft Starters) para motores de inducción de media y gran potencia.

Controladores de temperatura por ángulo de fase para hornos eléctricos, secadores y bancos de resistencias.

Equipos de soldadura industrial por resistencia y rectificadores de electrogalvanoplastia.

Etapas de control de campo para generadores síncronos y convertidores estáticos de excitación en centrales de energía.