MCD200-14IO1

El módulo MCD200-14IO1 de IXYS (compañía de Littelfuse) es un módulo híbrido de potencia compuesto por un tiristor (SCR) y un diodo conectados internamente en serie (configuración de rama de fase). Está diseñado para aplicaciones de rectificación semicontrolada y control de potencia en redes industriales.

A diferencia de la serie MCC (que integra dos tiristores), la serie MCD reduce la complejidad del circuito de disparo al combinar un elemento controlable (tiristor) con un elemento no controlable (diodo). Este modelo en particular soporta una tensión de bloqueo máxima de 1400 V, ofreciendo una alta capacidad de conducción de corriente y excelente disipación térmica mediante su base metálica aislada por sustrato cerámico (DCB - Direct Copper Bonded).

Specs

Marca / Fabricante: IXYS / Littelfuse

Número de Parte / Código: MCD200-14IO1 (serie MCD200)

Tipo de Componente: Módulo híbrido Tiristor / Diodo (Thyristor / Diode Module - Phase Leg)

Configuración Interna: Un tiristor y un diodo en serie (rama de puente semicontrolado)

Encapsulado / Formato: Y4-M6 (con placa base aislada)

Tipo de Montaje: Montaje en chasis / disipador por tornillos (M6 para terminales de potencia)

Especificaciones Eléctricas Principales

Tensión Inversa y en Bloqueo Máxima (VDRM / VRRM): 1400 V

Corriente Eficaz en Conducción (ITRMS / IFRMS): 340 A por rama

Corriente Media en Conducción (ITAVM / IFAVM): 216 A (a temperatura de caso TC = 85 °C)

Corriente de Sobretensión no Repetitiva (ITSM / IFSM): 8000 A a 60 Hz / 8600 A a 50 Hz (pulso de 10 ms)

Valor I2t para Fusibles: 320,000 A2s (a 10 ms)

Caída de Tensión Directa en Conducción (VT / VF): 1.2 V máximo

Tasa Crítica de Crecimiento de Tensión (dv/dt): 1000 V/us

Tasa Crítica de Crecimiento de Corriente (di/dt): 150 A/us

Características de Disparo de Puerta (Gate Characteristics - Tiristor)

Tensión Trigger de Puerta (VGT): 2.0 V a 2.5 V máximo (a 25 °C)

Corriente Trigger de Puerta (IGT): 150 mA máximo (a 25 °C)

Corriente de Mantenimiento (IH): 150 mA

Corriente de Enganche (IL): 200 mA

Tensión de Inmunidad al Disparo de Puerta (VGD): 0.2 V mínimo (a 125 °C)

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Tensión de Aislamiento Base a Terminales (VISOL): 3600 V CA (durante 1 segundo) / 3000 V CA (durante 1 minuto)

Resistencia Térmica Junta a Caso (RthJC): 0.13 K/W por semiconductor

Resistencia Térmica Caso a Disipador (RthCH): 0.05 K/W por módulo (usando pasta térmica)

Rango de Temperatura de Operación (TJ): -40 °C a +125 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (TSTG): -40 °C a +125 °C

Torque de Apriete Recomendado:

Montaje a disipador (M5): 2.25 a 2.75 Nm

Terminales principales (M6): 4.25 a 5.75 Nm

Dimensiones de Encapsulado: 94 mm (Largo) x 34 mm (Ancho) x 30 mm (Alto)

Peso Aproximado: 150 g

Puentes rectificadores monofásicos y trifásicos semicontrolados.

Control de velocidad para motores de corriente continua (DC).

Fuentes de alimentación industriales y cargadores de baterías de alta potencia.

Control de arranque para motores de corriente alterna.

Regulación de potencia en sistemas de calentamiento inductivo o por resistencia.