SKKD162/12

El SKKD162/12 (o SKKD 162/12) de SEMIKRON Danfoss es un módulo de potencia rectificador de doble diodo en serie (Rectifier Diode Module), perteneciente a la familia de módulos industriales de alta potencia con placa base metálica aislada Serie SEMIPACK 2. Está diseñado para la rectificación de línea no controlada en etapas de entrada de potencia, fuentes de alimentación industriales, cargadores de baterías, equipos de galvanoplastia, frenado dinámico y control de excitación para motores de corriente continua.

Construido en un bastidor cerámico/plástico robusto SEMIPACK 2 con placa base de cobre aislada mediante sustrato cerámico de alúmina (Al2O3) y grado de protección IP00, opera con tensiones de red de hasta 480 VAC y una tensión inversa repetitiva de pico (VRRM) de 1200 V. Presenta una corriente directa media nominal (IFAV) de 150 A a 160 A por diodo (a Tc = 85 °C / hasta 195 A a Tc = 70 °C), alta capacidad de sobrecorriente accidental no repetitiva (IFSM) de hasta 5400 A, aislamiento eléctrico galvánico garantizado de 3000 VAC / 3600 VAC, y terminales superiores roscados tipo M5 para conexión de pletinas o terminales de ojo.

Specs

Fabricante: SEMIKRON Danfoss (Núremberg, Alemania)

Modelo / Referencia: SKKD162/12 (código de pedido común: SKKD 162/12)

Código de Producto / UNSPSC: 32111500 / 39121000 (Módulos de diodos semiconductores / Diode Power Modules)

Familia / Serie: Serie SEMIPACK 2 (Rectifier Diode Modules)

Tipo de Componente: Módulo rectificador de potencia de dos diodos conectados en serie (semipuente de diodos)

Tipo de Montaje: Montaje superficial sobre disipador térmico con tornillos M5 y compuesto térmico (heatsink mount)

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Terminales de potencia superiores de contacto plano roscado métrico M5

Distribución de Pines / Bornes (Configuración en serie / Semipuente):

Terminal 1: Cátodo del Diodo 1 (+DC / Positivo del bus de rectificación)

Terminal 2: Punto medio común en serie (Ánodo del Diodo 1 y Cátodo del Diodo 2 - Entrada de fase CA)

Terminal 3: Ánodo del Diodo 2 (-DC / Negativo del bus de rectificación)

Placa Base: Aislada eléctricamente de los terminales activos 1, 2 y 3 (aislamiento cerámico interno DBC / Al2O3)

Desglose de la Nomenclatura

SK: Código corporativo de semiconductores de SEMIKRON

KD: Configuración interna del circuito: Dos diodos conectados en serie con cátodo común / punto medio accesible (series connected diodes)

12: Tensión asignada inversa de pico repetitiva: 1200 V (12 x 100 V)

Especificaciones de Entrada y Tensión Asignada

Tensión Inversa Repetitiva de Pico (VRRM): 1200 V

Tensión Inversa No Repetitiva de Pico (VRSM): 1300 V

Tensión de Red Trifásica Recomendada (Vrms): Hasta 480 VAC

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (Visol): 3000 VAC (1 segundo) / 2500 VAC (1 minuto) entre terminales y placa base

Especificaciones Eléctricas de Operación

Corriente Directa Media Nominal por Diodo (IFAV): 150 A (a Tc = 85 °C) / 195 A (a Tc = 70 °C)

Corriente Eficaz de Operación (IFRMS): 310 A (ambos diodos en conducción)

Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (IFSM): 5400 A (a Tj = 25 °C, pulso sinusoidal de 10 ms) / 4500 A (a Tj = 150 °C)

Valor Límite de Integración Térmica (I²t): 145,000 A²s (a Tj = 25 °C, 10 ms) / 101,000 A²s (a Tj = 150 °C)

Caída de Tensión Directa Máxima (VF): Máximo 1.45 V a IF = 500 A (a Tj = 25 °C)

Tensión de Umbral (VT0): Aprox. 0.85 V (a Tj = 150 °C)

Resistencia Diferencial (rT): Aprox. 1.1 miliohmios (a Tj = 150 °C)

Corriente Inversa de Fuga (IRD): Menor a 5 mA (a VRRM, Tj = 150 °C)

Rendimiento Térmico y Mecánico

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): 0.18 °C/W por diodo (0.09 °C/W para el módulo completo)

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador (Rth(c-s)): 0.05 °C/W (con pasta térmica aplicada uniformemente)

Transferencia Térmica: Placa base plana de cobre de contacto directo con aislamiento de óxido de aluminio (Al2O3)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tamaño de Bastidor / Formato: Estándar industrial SEMIPACK 2

Dimensiones Físicas:

Longitud de base: 93.0 mm (distancia entre centros de fijación: 80.0 mm)

Anchura de base: 34.0 mm

Altura total: 30.0 mm

Materiales:

Base: Placa de cobre niquelado de alta conductividad térmica

Carcasa: Termoplástico técnico de ingeniería retardante de llama (UL 94V-0)

Resina interna: Compuesto de sellado y aislamiento elástico de silicona

Terminales: M5 roscados (par de apriete: 3.0 Nm a 5.0 Nm)

Tornillería de Montaje a Disipador: 2 tornillos M5 (par de apriete: 3.0 Nm a 5.0 Nm)

Peso Aproximado: Aprox. 165 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +125 °C

Grado de Protección: IP00 conforme a IEC 60529

Normativas y Homologaciones: Homologación UL (archivo E63532), marcado CE y cumplimiento con la directiva europea RoHS

Puentes rectificadores de entrada monofásicos y trifásicos en variadores de frecuencia y servodrives.

Rectificadores industriales no controlados para cargadores de baterías y plantas de electroerosión o galvanoplastia.

Diodos de libre circulación (freewheeling) en fuentes de alimentación de gran potencia y circuitos inductivos.

Etapa de rectificación de corriente para equipos de soldadura de arco industrial.

Unidades de alimentación de campo y excitación para motores de corriente continua.