2MBI200UR-120-01

El Fuji Electric 2MBI200UR-120-01 es un módulo de semiconductores de potencia basado en tecnología IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor / Transistor Bipolar de Compuerta Aislada).

A diferencia de los módulos inteligentes (series IPM o 7MBP), este componente pertenece a la serie de IGBTs estándar de Fuji. Esto significa que no tiene circuitos de protección ni drivers lógicos integrados en su interior; es un bloque puramente analógico de conmutació

Decodificación del Modelo y Datos Eléctricos

2MBI: Prefijo de Fuji Electric que indica una configuración de Módulo IGBT Doble (Dual o tipo Half-Bridge / Medio Puente). Aloja dos transistores IGBT conectados en serie dentro de una misma carcasa, compartiendo un terminal común. Con un módulo controlas una fase completa de salida; utilizando tres módulos idénticos construyes un puente inversor trifásico completo.

200: Capacidad de corriente nominal de colector continua de 200 Amperios bajo condiciones óptimas de refrigeración. Puede soportar picos transitorios de corta duración de hasta el doble de este valor (400A).

UR: Identifica la generación del chip de silicio y la geometría del encapsulado. La serie U incorpora tecnología de compuerta en trinchera (Trench Gate) combinada con una estructura de parada de campo (Field Stop). Esta ingeniería reduce al mínimo las pérdidas por conmutación y el voltaje de saturación cuando el transistor está conduciendo.

-120: Especifica el voltaje de bloqueo máximo entre Colector y Emisor de 1200 Voltios (1.2 kV). Este amplio margen de aislamiento lo capacita para trabajar con total seguridad en redes eléctricas trifásicas industriales pesadas de 380V, 440V y 480V AC.

-01: Variante de diseño de la carcasa que especifica la disposición de los terminales y la compatibilidad con normativas de soldadura y materiales libres de sustancias peligrosas.

Componentes Internos del Módulo

Cada uno de los dos IGBTs que viven dentro de este módulo de potencia viene acompañado de fábrica por un Diodo de Recuperación Rápida en Antiparalelo (FWD - Free Wheeling Diode).

Estos diodos son indispensables en electrónica de potencia industrial: cuando el transistor se apaga de golpe, la energía inductiva almacenada en los devanados de los motores genera un retorno masivo de corriente. Los diodos absorben y redirigen de forma segura ese impacto para evitar que los picos de alto voltaje perforen las uniones de silicio de los IGBTs.

Gracias a sus 200A y 1200V de rango, es un elemento muy común en la etapa de potencia de:

Variadores de Frecuencia Pesados (VFD): Actúa en la etapa de salida para modular la velocidad de motores trifásicos robustos (típicamente en rangos de 50 a 100 HP, dependiendo de la carga y el diseño del fabricante) en grúas, extrusoras, bandas transportadoras mineras y molinos.

Sistemas de Soldadura por Inversor Industrial: Controla la conmutación de alta frecuencia en máquinas de soldar por arco pesadas y equipos de corte por plasma automatizados.

Fuentes de Alimentación Ininterrumpida (UPS): Encargado de la etapa de inversión en sistemas UPS trifásicos de gran tamaño destinados a proteger hospitales, centrales telefónicas y centros de datos.

Inversores de Energía Solar y Eólica: Utilizado en plantas generadoras comerciales para convertir la corriente directa variable en corriente alterna apta para la red de distribución.