• On request
80-M312PMA075M7-K429A70
search
  • 80-M312PMA075M7-K429A70
  • 80-M312PMA075M7-K429A70
  • 80-M312PMA075M7-K429A70
  • 80-M312PMA075M7-K429A70

80-M312PMA075M7-K429A70

161,00 $
Nessuna tassa

MODULOS IGBT

Última actualización

Datasheet80-M312PMA075M7-K429A70

75A/1200V

VINCOTECH

Delivery time : 1-2 semanas.

Quantità
On request

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Shipping and Returns

All products come with a warranty against manufacturing defects.

  Trademark Disclaimer

All trademarks, logos, and part numbers are the property of their respective owners click for more

Features

El 80-M312PMA075M7-K429A70 es un módulo de potencia de estado sólido de alta gama (Power Module / IGBT Module) de grado industrial, diseñado y fabricado en Europa por Vincotech (una empresa del grupo Mitsubishi Electric, líder mundial en semiconductores de potencia).

Este módulo pertenece a la reconocida serie flowIPM 3, una familia de módulos de potencia integrados (IPM - Intelligent Power Modules) diseñados con una topología compacta para aplicaciones de control de movimiento de alta eficiencia. Su función principal en la planta es actuar como el bloque inversor central de alta fidelidad, encargado de conmutar corrientes directas masivas y transformarlas en señales de corriente alterna variables para gobernar con total precisión la velocidad y el torque de servomotores y motores trifásicos.

1. Desglose del Código de Modelo (Nomenclatura Vincotech)

Cada bloque del número de catálogo de Vincotech define estrictamente la topología del silicio, el voltaje, el amperaje y el tipo de chasis de fábrica:

80-M3: Identifica la serie física y el tipo de encapsulado del módulo de potencia. La serie flow 3 / flowIPM 3 se caracteriza por un chasis de perfil bajo con pines de inserción rápida que optimizan el espacio en la tarjeta de circuito impreso (PCB).

12PMA075M7: Define las especificaciones eléctricas de los semiconductores:

El 12 indica un voltaje máximo de bloqueo de 1200 V (Voltios) en el Bus de CD.

El 075 especifica la corriente nominal de diseño de 75 Amperios (A) continuos a través del silicio.

M7: Identifica la generación y tecnología de los chips de los transistores IGBT internos (chips de última generación de Mitsubishi con baja caída de voltaje y conmutación ultraveloz).

-K429A70: Es el código de configuración de ingeniería exclusivo. Define el tipo de sustrato cerámico interno térmicamente optimizado (típicamente de AlNo o Al2O3), la disposición geométrica de los pines (Pinout Layout) y si el módulo incorpora de fábrica el material de interfaz térmica precargado (TIM - Thermal Interface Material).

2. Datos Eléctricos y Especificaciones de Fuerza

Las características de ingeniería integradas en las obleas de silicio del módulo definen sus límites de operación en el variador:

Voltaje Colector-Emisor Máximo (Vces): 1200 V. Diseñado para operar de manera nativa en inversores y servodrives de la planta alimentados por redes trifásicas pesadas de 400 V a 480 V CA.

Corriente de Colector Continua (Ic): 75 A operando bajo régimen constante con el disipador controlado térmicamente. Soporta corrientes transitorias de pulso de más de 150 A durante milisegundos.

Topología de Circuito Integrado: Configuración de Inversor Trifásico Completo (Six-Pack / 3-Phase Inverter Bridge). Aloja internamente un total de 6 IGBTs con sus respectivos 6 diodos de libre circulación de recuperación rápida (FWD), cubriendo las tres fases de salida (U, V, W) en un solo chasis.

Sensor de Temperatura Interno (NTC): Incorpora un termistor tipo NTC embebido directamente sobre el sustrato cerámico al lado de los chips. Permite a la tarjeta de control del drive medir en tiempo real la temperatura interna del silicio para gatillar alarmas de protección por sobrecalentamiento antes de una avería fatal.

3. Características Físicas y Tecnología de Montaje

La arquitectura exterior del módulo Vincotech destaca por su alta eficiencia de ensamble:

Pines de Inserción Rápida (Press-Fit / Solder Pins): Dependiendo de la subvariante, los pines de control y fuerza están diseñados para soldarse directamente a la placa de circuito o insertarse a presión fría (Press-Fit), lo que elimina por completo los cables de puente internos y reduce drásticamente la inductancia parásita, logrando una conmutación limpia y sin ruidos.

Aislamiento de la Base de Cobre: Los chips de silicio internos están aislados galvánicamente de la placa base de cobre inferior por una cerámica de alta resistencia dieléctrica (soporta aislamientos de hasta 2500 V CA), permitiendo atornillar el módulo directamente al disipador metálico de la máquina puesto a tierra.

Aplications

Gracias a su rango de 75A a 1200V y su configuración en Medio Puente Trifásico, este componente es la refacción principal en:

Etapa de Potencia de Servodrives de Alta Gama: Inversores de precisión para el control lazo cerrado de servomotores grandes en prensas, brazos robóticos pesados y ejes cartesianos de alta velocidad.

Variadores de Frecuencia (VFD) Modulares: Bloque de inversión en drives industriales medianos (típicamente entre 30 HP y 50 HP a 440V CA) en aplicaciones de bombeo, extrusión y bandas transportadoras pesadas.

Inversores de Energía Solar y Soldadores de Inducción: Conmutación de potencia en fuentes conmutadas de alta frecuencia y sistemas de energía renovable industriales.

VINCOTECH
80-M312PMA075M7-K429A70

Riferimenti Specifici

MPN
80-M312PMA075M7-K429A70
Commenti (0)
Ancora nessuna recensione da parte degli utenti.