BSM75GB120DLC

El BSM75GB120DLC de Infineon es un módulo de potencia clásico basado en tecnología IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Es ampliamente utilizado en aplicaciones industriales debido a su robustez y eficiencia.

Este es un módulo Half-Bridge (medio puente) que integra dos transistores IGBT y dos diodos de recuperación rápida (Free Wheeling Diodes) en un solo encapsulado. Está diseñado específicamente para conmutación de alta potencia y aplicaciones de control de motores.

Voltaje Colector-Emisor (Vces): 1200 V

Corriente de Colector Continua (Ic): 75 A (a 80°C) / 100 A (a 25°C)

Corriente de Pico Repetitiva (Icrm): 150 A

Voltaje de Saturación (Vce sat): 2.10 V a 2.50 V

Potencia Total Disipada (Ptot): 560 W

IGBT de Baja Pérdida: Utiliza una estructura de canal que reduce las pérdidas por conducción y conmutación.

Diodos Emisor-Pasivos: Incluye diodos con tecnología de recuperación suave para minimizar el ruido electromagnético (EMI).

Placa Base Aislada: El sustrato de cobre interno está aislado eléctricamente de los terminales activos, lo que facilita el montaje directo sobre un disipador de calor (heatsink).

Modelo de Carcasa: Low Loss (62mm de ancho estándar industrial).

Resistencia Térmica: Muy baja resistencia entre la unión y la carcasa (RthJC), lo que permite una gestión eficiente del calor generado durante la operación.

Debido a su rango de 1200V y 75A, este módulo es ideal para:

Variadores de Frecuencia (VFD): Control de motores trifásicos de CA.

Sistemas de UPS: Fuentes de alimentación ininterrumpida de gran escala.

Inversores Solares: Conversión de energía en plantas fotovoltaicas.

Maquinaria de Soldadura: Equipos de soldadura por arco industriales.