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SKM200GAL123DKLD110
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MODULOS IGBT
Última actualización
SKM200GAL123DKLD110200A/1200V/1U
No Identificado
Delivery time :
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
IGBT MODULE
MOS input (voltage controlled)
N channel, Homogeneous Si
Low inductance case
Very low tail current with low temperature dependende
High short circuit capability, self limiting to 6 Icnom
Latch-up free
Fast & soft inverse CAL diodes
Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology
Large clearance (13mm) and creepage distances (20 mm)
Aplications
Applications
Switching ( not for linear use )
SKM200GAL123DKLD110
Riferimenti Specifici
- MPN
- SKM200GAL123DKLD110
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