XNG75PI24TC4S5

El XNG75PI24TC4S5 de Xiner / Xiner Semiconductor (Xian Xiner Electronics) es un módulo de potencia semiconductor IGBT integrado en topología inversora trifásica puente completa de seis elementos con diodos de libre circulación en antiparalelo (Three-Phase Inverter IGBT Power Module / Six-Pack IGBT). Su función tecnológica primordial es la conmutación electrónica de alta frecuencia, conversión estática de energía de corriente continua a corriente alterna (DC-AC) y control vectorial/escalar de par y velocidad en variadores de frecuencia (VFD), servodrives industriales, fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI / UPS) y convertidores para energías renovables.

Fabricado en un encapsulado estándar plano de potencia para montaje directo sobre disipador térmico con placa base de cobre aislada galvánicamente (aislamiento cerámico DBC) y terminales de pines para soldadura en PCB, opera con una tensión de ruptura colector-emisor de 1200 V (hasta 2400 V según clasificación específica de tensión de bus de la serie XNG) y una corriente nominal de colector continua de 75 A a 80 °C / 100 °C. Incorpora tecnología de chip IGBT Trench-Field-Stop de cuarta/quinta generación para reducir drásticamente las pérdidas de conducción y conmutación, diodos rápidos de recuperación suave (Fast Recovery Diode - FRD), termistor NTC integrado para monitoreo térmico en tiempo real y una robusta capacidad frente a cortocircuitos (tiempo de resistencia a cortocircuito >= 10 µs).

Specs

Fabricante: Xiner / Xiner Semiconductor (Xian Xiner Electronic Technology Co., Ltd. / China)

Modelo / Referencia: XNG75PI24TC4S5

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 / 32111718 (Módulos semiconductores IGBT / IGBT Power Modules)

Familia / Serie: Serie XNG (Módulos de potencia IGBT para aplicaciones industriales y accionamientos)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT trifásico (Six-Pack / Inverter Bridge)

Tipo de Montaje: Fijación mediante 2 a 4 tornillos M5 sobre disipador térmico externo (con pasta térmica/almohadilla) y pines de potencia y control soldados a placa de circuito impreso (PCB)

Asignación de Pines / Terminales (Pinout Típico de Inversor Trifásico)

Tipo de Conexió

Distribución de Terminales Principales:

Terminales de Bus DC de Potencia:

P / DC+: Entrada positiva del bus de corriente continua

N / DC-: Entrada negativa del bus de corriente continua

Terminales de Salida de Fase AC (Hacia el motor/carga):

U: Salida de fase U del inversor

V: Salida de fase V del inversor

W: Salida de fase W del inversor

Terminales de Control de Compuerta y Emisor Auxiliar:

G1, E1 / G(U_top), E(U_top): Compuerta y emisor auxiliar rama superior fase U

G2, E2 / G(V_top), E(V_top): Compuerta y emisor auxiliar rama superior fase V

G3, E3 / G(W_top), E(W_top): Compuerta y emisor auxiliar rama superior fase W

G4 / G(U_bot): Compuerta rama inferior fase U

G5 / G(V_bot): Compuerta rama inferior fase V

G6 / G(W_bot): Compuerta rama inferior fase W

Terminales del Sensor de Temperatura:

NTC1 / NTC2: Terminales del termistor NTC interno para monitorización térmica

Desglose de la Nomenclatura

XN: Familia de módulos de potencia de Xiner Semiconductor

G: Tecnología de transistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

75: Corriente nominal de colector continua: 75 A

PI: Topología de circuito: Inversor trifásico (Six-Pack / Three-Phase Inverter)

24: Código de tensión asignada / tensió

T: Tecnología de chip: Trench-Gate Field-Stop

C4: Código de generación de chip y características dinámicas de conmutación

S5: Tipo de encapsulado mecánico y paso de terminales

Especificaciones Eléctricas de Operación

Tensión Colector-Emisor Máxima (VCES): 1200 V / 2400 V (segú

Tensión Puerta-Emisor Continua (VGES): ±20 VDC

Corriente Nominal de Colector Continua (IC): 75 A (a Tc = 80 °C) / 100 A (a Tc = 25 °C)

Corriente de Colector Pulsada (ICM): 150 A (pico transitorio de 1 ms)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típicamente 1.70 V a 2.10 V (a IC = 75 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)

Tensión de Umbral de Compuerta (VGE(th)): 5.0 V a 6.5 V (a IC = 1 mA)

Tiempo de Resistencia a Cortocircuito (tsc): >= 10 µs (a VGE = 15 V, VCC = 800 V, Tj = 150 °C)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): <= 0.35 °C/W por cada IGBT

Pérdidas de Potencia Máximas (Ptot): Aprox. 350 W a 400 W por interruptor (a Tc = 25 °C)

Diodo de Libre Circulación (FRD) y Sensor NTC

Corriente Directa Nominal del Diodo (IF): 75 A

Corriente Directa de Pico (IFM): 150 A

Caída de Tensión Directa (VF): Aprox. 1.65 V a 2.0 V (a IF = 75 A)

Valor de Resistencia del NTC: R25 = 5.0 k? (±5%) a 25 °C

Constante B del NTC (B25/50): Aprox. 3375 K a 3435 K

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Carcasa prismática sellada con placa base de cobre aislada galvánicamente

Dimensiones Físicas Típicas (Encapsulado estándar de 6-Pack 75A):

Longitud: Aprox. 107.0 mm a 122.0 mm

Anchura: Aprox. 45.0 mm a 62.0 mm

Altura de carcasa: Aprox. 17.0 mm a 20.5 mm

Tensión de Aislamiento (Visol): 2500 VAC a 3000 VAC (50/60 Hz, 1 minuto entre terminales y placa base)

Par de Apriete de Montaje al Disipador: 3.0 Nm a 6.0 Nm (tornillos M5)

Peso Aproximado: Aprox. 180 g a 280 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Rango de Temperatura de Unión en Operación (Tj): -40 °C a +150 °C (hasta +175 °C transitorio)

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Inflamabilidad del Encapsulado: UL 94 V-0

Normativas: Cumplimiento directiva RoHS y compatibilidad con estándares industriales de tracción y accionamientos IEC 60747-9

Etapa inversora de potencia en variadores de frecuencia (VFD) para motores de 22 kW a 37 kW.

Servodrives y controladores de movimiento en robótica y máquinas herramienta CNC.

Fuentes de alimentación ininterrumpida industriales (UPS) de media y alta capacidad.

Convertidores DC/AC para inversores solares fotovoltaicos y cargadores de vehículos eléctricos.

Fuentes de soldadura inverter y sistemas de calentamiento por inducción.