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MODULOS THYRISTOR THYRISTOR
Última actualización
215A 1600V
SEMIKRON
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El SKKT 215/16 E de SEMIKRON (familia SEMITRANS / SEMIPACK® 2 Series) es un módulo de potencia dual tiristor-tiristor en conexión en serie (Phase Control Thyristor Module / Half-Bridge Dual SCR Module), diseñado para aplicaciones de control de potencia por ángulo de fase, rectificación controlada pesada de CA a CC, arrancadores suaves (soft starters) para motores de inducción trifásicos, variadores de velocidad para motores de corriente continua y control de temperatura en hornos industriales.
Construido sobre una placa base de cobre aislada galvánicamente mediante sustrato cerámico de alúmina (DBC) bajo tecnología de soldadura dura de alta resistencia a ciclos térmicos, integra dos tiristores de silicio de control de fase conectados en serie (rama de medio puente). Soporta una tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo e inverso de 1600 V y una corriente nominal media en conducción de 215 A (a Tc = 85 °C, con corriente eficaz IT(RMS) de hasta 335 A), ofreciendo una elevada capacidad de corriente de choque (ITSM de 6500 A), aislamiento dieléctrico de 3000 VAC y terminales de potencia robustos atornillados con tomas de disparo tipo lengüeta Faston.
Specs
Fabricante: SEMIKRON (Semikron Danfoss)
Modelo / Referencia: SKKT 215/16 E (SKKT215/16E)
Código de Producto / UNSPSC: 23153100 (32111700 / 32111706 Módulos de potencia rectificadores de tiristores)
Familia / Serie: SEMIPACK® 2
Tipo de Componente: Módulo de potencia dual tiristor-tiristor (Phase Control Thyristor Module)
Configuración Interna: Dos tiristores en serie (Tiristor-Tiristor / rama de medio puente)
Tipo de Montaje: Fijación con tornillos sobre disipador térmico con placa base aislada eléctricamente
Desglose de la Nomenclatura
SKKT: Módulo SEMIKRON con dos tiristores conectados en serie (cátodo común / medio puente)
215: Corriente nominal media en estado de conducción (aprox. 215 A a Tc = 85 °C)
16: Tensión repetitiva máxima de bloqueo dividida por 100 (16 x 100 V = 1600 V)
E: Código de generación / diseño interno con contactos por soldadura dura y aislamiento cerámico DBC
Valores Máximos Absolutos y Potencia
Tensión Repetitiva de Pico en Bloqueo (VDRM / VRRM): 1600 V
Tensión no Repetitiva de Pico (VDSM / VRSM): 1700 V
Corriente Nominal Media en Conducción (ITAV): 215 A (a Tc = 85 °C) / hasta 260 A (a Tc = 70 °C)
Corriente Eficaz de Operación (ITRMS): 335 A
Corriente de Sobretensión no Repetitiva (ITSM): 6500 A (a pulso de 10 ms, medio ciclo seno a Tj = 25 °C) / 5400 A (a Tj = 130 °C)
Valor Integral de Corriente (I²t): 210,000 A²s (a 10 ms, Tj = 25 °C) / 145,000 A²s (a Tj = 130 °C para cálculo de fusibles ultrarrápidos)
Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 3000 VAC (50 Hz, 1 minuto a la placa base)
Tasa Crítica de Subida de Tensión en Bloqueo (dv/dt): Mínimo 1000 V/µs (a Tj = 130 °C)
Tasa Crítica de Subida de Corriente (di/dt): Mínimo 150 A/µs a 200 A/µs (en disparo de compuerta)
Características de Disparo de Puerta (Gate)
Tensión de Disparo de Puerta (VGT): Menor o igual a 2.5 V (a Tj = 25 °C)
Corriente de Disparo de Puerta (IGT): Aprox. 150 mA (a Tj = 25 °C)
Tensión de No Disparo de Puerta (VGD): 0.25 V (a Tj = 130 °C)
Corriente de No Disparo de Puerta (IGD): Menor o igual a 10 mA (a Tj = 130 °C)
Pérdida Máxima de Potencia de Pico en Puerta (PGM): Aprox. 12 W (ancho de pulso corto)
Características Eléctricas en Conducción
Tensión de Caída en Estado Directo (VT): Típico 1.65 V a 1.80 V (a IT = 600 A, Tj = 25 °C)
Tensión Umbral (VT(TO)): Aprox. 0.90 V (a Tj = 130 °C)
Resistencia en Estado Activo (rT): Aprox. 1.2 m? (a Tj = 130 °C)
Corriente Inversa y de Fuga de Bloqueo (IDRM / IRRM): Menor o igual a 50 mA (a VDRM / VRRM, Tj = 130 °C)
Corriente de Retención (IH): Aprox. 250 mA (a Tj = 25 °C)
Corriente de Enclavamiento (IL): Aprox. 600 mA (a Tj = 25 °C)
Propiedades Térmicas y Mecánicas
Formato de Envolvente: SEMIPACK® 2
Dimensiones Físicas: Aprox. 115 mm (largo) x 50 mm (ancho) x 52 mm (alto con terminales)
Distancia Entre Centros de Fijación a Disipador: 80.0 mm (para tornillos M6)
Terminales de Potencia: Bornes roscados métricos M6 cautivos
Terminales de Puerta / Cátodo Auxiliar: Conexión plana tipo lengüeta Faston de 2.8 mm x 0.8 mm
Par de Apriete al Disipador (Tornillos M6): 4.0 N·m a 6.0 N·m
Par de Apriete de Terminales de Potencia (Tornillos M6): 4.0 N·m a 6.0 N·m
Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): 0.14 °C/W por tiristor / 0.07 °C/W por módulo
Resistencia Térmica Carcasa-Disipador (Rth(c-s)): 0.05 °C/W por tiristor / 0.025 °C/W por módulo
Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +130 °C
Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +130 °C
Peso Aproximado: Aprox. 450 g
Normativas y Homologaciones
Aislamiento Eléctrico: Reconocido bajo normativa UL (File E63532)
Conformidad Medioambiental: Marcado CE, directiva RoHS
Arrancadores suaves de estado sólido (Soft Starters) para motores de inducción de media y gran potencia.
Puentes rectificadores totalmente controlados trifásicos para accionamientos y variadores de velocidad de motores de CC.
Reguladores de corriente y temperatura por control de fase en hornos industriales y procesos de tratamiento térmico.
Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) de alta capacidad y conmutadores estáticos de transferencia (STS).
Fuentes de alimentación para galvanoplastia, electrólisis y soldadura eléctrica pesada.