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FSW25N50A

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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA

Última actualización

DatasheetFSW25N50A

25A/500V/1U

IPS

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Features

El IPS FSW25N50A es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia de canal N, diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta eficiencia en fuentes de poder y sistemas de control de energía industrial.

Este componente utiliza una estructura avanzada que reduce drásticamente la resistencia en estado de conducción, minimizando las pérdidas por calor y optimizando el rendimiento térmico en circuitos de potencia pesados. Viene encapsulado típicamente en un formato robusto de tres pines como el TO-247, ideal para montarse firmemente a disipadores de aluminio.

Parámetros Eléctricos Importantes

Voltaje Drenaje-Fuente Máximo (Vds): 500 Voltios. Es la tensión máxima de corriente directa que el transistor puede soportar entre sus terminales principales de fuerza cuando está en estado de apagado (bloqueo).

Corriente de Drenaje Continua Máxima (Id): 25 Amperios (medida a una temperatura de chasis estándar de 25 grados Celsius). Representa la capacidad de corriente continua que el MOSFET puede conducir de forma segura.

Resistencia en Estado de Conducción Máxima (Rds-On): Típicamente en el rango de los 0.20 a 0.26 Ohms (dependiendo de la temperatura de operación). Al ser un valor de resistencia muy bajo, asegura que el componente disipe un mínimo de calor residual cuando está totalmente encendido y conduciendo los 25A.

Voltaje Umbral de Compuerta (Vgs-th): Entre 2.0V y 4.0V. Es el voltaje mínimo que se debe aplicar en el pin de control (Compuerta / Gate) para que el transistor comience a conducir energía entre el Drenaje y la Fuente.

Voltaje Máximo de Compuerta (Vgs): +/- 30 Voltios. Es el límite absoluto de tensión que puede recibir el pin de control antes de que la capa microscópica de aislamiento interno de la compuerta se destruya de forma irreversible.

Carga de Compuerta Total (Qg): Un valor optimizado para permitir que los circuitos de disparo (Gate Drivers) carguen y descarguen la compuerta rápidamente, logrando transiciones de encendido y apagado en el rango de los nanosegundos.

Aplications

Debido a su robusta combinación de 500V y 25A, el FSW25N50A es un componente crítico en las etapas de potencia de:

Fuentes de Poder Conmutadas (SMPS) de Gran Capacidad: Utilizado como el interruptor principal de alta frecuencia en las etapas primarias de fuentes de alimentación para servidores, telecomunicaciones y equipo médico.

Inversores de Soldadura por Arco Eléctrico: Actúa en el puente de conmutación de alta potencia (puente H) que convierte la corriente directa en pulsos de alta frecuencia para regular la corriente de salida de las máquinas de soldar portátiles e industriales.

Balastros Electrónicos y Sistemas de Iluminación de Alta Potencia: Control de lámparas industriales de descarga y arreglos masivos de iluminación LED de grado comercial.

Convertidores DC-DC de Alta Tensión: Sistemas elevadores o reductores de voltaje utilizados en cargadores de baterías industriales o sistemas de respaldo de energía UPS.

IPS
FSW25N50A

Riferimenti Specifici

MPN
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