2SC2873Y

El 2SC2873-Y (o 2SC2873Y) de Toshiba es un transistor de unión bipolar NPN epitaxial de silicio (NPN Silicon Epitaxial Planar BJT), diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia de audio, etapas de conmutación de uso general y circuitos reguladores de tensión en fuentes conmutadas, cargadores y electrónica de consumo compacta.

Presentado en encapsulado para montaje superficial estándar SOT-89 (marcado comúnmente con el código MY), este transistor ofrece una capacidad de corriente de colector continua de 2 A (hasta 3 A en modo pulsado) con una tensión de ruptura colector-emisor de 50 V. Destaca por su baja tensión de saturación colector-emisor (máximo 0.5 V a 1 A), una excelente linealidad de ganancia en corriente continua (hFE de 120 a 240 para el rango de clasificación Y), y una disipación de potencia de hasta 1.0 W sobre placa estándar (o 0.5 W al aire libre).

Specs

Fabricante: Toshiba Semiconductor (Toshiba Electronic Devices & Storage)

Modelo / Referencia: 2SC2873-Y (2SC2873Y)

Código de Marcado SMD (Marking Code): MY

Código de Producto / UNSPSC: 32111600 (32111603 / Transistores bipolares BJT)

Familia / Serie: Serie 2SC BJT Transistors

Tipo de Componente: Transistor bipolar de unión NPN (NPN Bipolar Junction Transistor)

Tipo de Montaje: Montaje superficial (SMD / SMT) en encapsulado SOT-89

Desglose de la Nomenclatura

2S: Transistor de alta frecuencia / propósito general registrado bajo estándar JIS

C: Transistor NPN de alta frecuencia o silicio

2873: Número de serie asignado por el fabricante

-Y: Clasificación de ganancia de corriente continua hFE (rango Y: 120 a 240)

Especificaciones Eléctricas de Operación (Valores Máximos Absolutos)

Tensión Colector-Base (VCBO): 50 V

Tensión Colector-Emisor (VCEO): 50 V

Tensión Emisor-Base (VEBO): 5 V

Corriente de Colector Continua (IC): 2.0 A DC

Corriente de Colector Pulsada (ICP): 3.0 A (pulso de 1 ms)

Corriente de Base Continua (IB): 0.4 A (400 mA)

Disipación de Potencia del Colector (PC):

Montado sobre sustrato cerámico estándar: 1.0 W

Sin disipador / aire libre: 0.5 W

Características Eléctricas y de Conmutación

Ganancia de Corriente Continua (hFE): 120 a 240 (clasificación Y, medida a VCE = 2 V, IC = 0.5 A)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Máximo 0.5 V (a IC = 1.0 A, IB = 0.05 A)

Tensión de Saturación Base-Emisor (VBE(sat)): Máximo 1.2 V (a IC = 1.0 A, IB = 0.05 A)

Corriente de Corte de Colector (ICBO): Máximo 1.0 µA (a VCB = 50 V, IE = 0)

Corriente de Corte de Emisor (IEBO): Máximo 1.0 µA (a VEB = 5 V, IC = 0)

Frecuencia de Transición (fT): Típica 120 MHz (a VCE = 2 V, IC = 0.5 A)

Capacitancia de Salida de Colector (Cob): Típica 30 pF (a VCB = 10 V, f = 1 MHz)

Asignación de Pines y Encapsulado

Tipo de Encapsulado: SOT-89 (Toshiba package: PW-Mini / SC-62 / TO-243)

Disposición de Pines:

Pin 1: Base (B)

Pin 3: Emisor (E)

Construcción Mecánica y Térmica

Dimensiones del Encapsulado: Aprox. 4.5 mm (largo) x 2.5 mm (ancho cuerpo) x 1.5 mm (alto)

Temperatura de Unión Máxima (Tj): +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Resistencia Térmica Unión-Ambiente (Rth(j-a)): Aprox. 125 °C/W (montado en PCB cerámico)

Peso Aproximado: Aprox. 0.05 g

Condiciones Ambientales y Normativas

Conformidad Ambiental: Libre de halógenos, compatible con soldadura sin plomo (RoHS)

Normativa de Fabricación: Estándar industrial semiconductor JEDEC / EIAJ

Etapas de salida y preamplificación de audio de baja a mediana potencia.

Conmutación de cargas inductivas ligeras (relé

Reguladores de tensión lineales y circuitos de referencia de polarización.

Convertidores DC-DC, controladores de retroiluminación LED y circuitos de gestión de baterías.