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BUK436-1000B
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BUK436-1000B
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Features
PowerMOS Transistor
VDS Drain-Surge Voltage 1000 V
ID Drain Current (DC) 3.1 A
Ptot Total power dissipation 125 W
Rds(ON) Drain-source on-state resistance RDS(ON) 5 Ohms
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
Q Source * Transistor
Q Source
BUK436-1000B
TRANSISTOR
BUK436-1000B
Riferimenti Specifici
- MPN
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