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FMH16N50E
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FMH16N50E
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Features
N- Channel Silicon Power MOSFET
Maintains both low power loss and low noise Lower RDS(on) characteristic
More controllable switching dv/dt by gate resistance
Smaller VGS ringing waveform during switching
Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 + - 0.5 V )
High avalanche durability
Aplications
Applications
Switching regulators
DC - DC converters
FMH16N50E
Riferimenti Specifici
- MPN
- FMH16N50E
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