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MJ11033
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MJ11033
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Features
High-Current Silicon Power Transistor
High DC Current Gain hfe = 1000 (Min) @ Ic = 25 ADC
hfe = 400 (Min) @ Ic = 50 ADC
Curves to 100 A (pulsed)
Diode Protection to Rated Ic
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor
Juntion Temperature to + 200 C
Pb-Free Packages are Available
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
MJ11033
Riferimenti Specifici
- MPN
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