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MJ11033
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MJ11033
Política de seguridad
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Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- High-Current Silicon Power Transistor
- High DC Current Gain hfe = 1000 (Min) @ Ic = 25 ADC
- hfe = 400 (Min) @ Ic = 50 ADC
- Curves to 100 A (pulsed)
- Diode Protection to Rated Ic
- Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor
- Juntion Temperature to + 200 C
- Pb-Free Packages are Available
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
MJ11033
Riferimenti Specifici
- MPN
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