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DIODO DE RECUPERACION
Última actualización
2 PIN 1500V 6A
NXP Semiconductors
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El BY329X-1500S es un diodo de silicio de ultra alta velocidad (ultra-fast) diseñado específicamente para aplicaciones de amortiguación o damper en circuitos de deflexión horizontal, así como en sistemas de conmutación de alta tensión. Originalmente desarrollado por NXP Semiconductors (ahora bajo la marca WeEn Semiconductors), este componente destaca por su encapsulado SOD113 (TO-220F), el cual está completamente aislado de forma plástica. Esta característica permite su montaje directo sobre disipadores de calor sin necesidad de usar micas aislantes adicionales, optimizando la transferencia térmica y simplificando el ensamblaje mecánico en aplicaciones de potencia.
Parámetros Eléctricos Importantes
Este diodo está optimizado para soportar picos de voltaje extremos y ofrecer tiempos de conmutación sumamente cortos:
Voltaje Reverso Máximo Repetitivo (Vrrm): 1500 Voltios (V). Es el límite de tensión inversa que el dispositivo puede bloquear de forma continua y segura.
Voltaje Reverso de Pico No Repetitivo (Vrsm): Hasta 1500 Voltios (V) con pulsos breves menores a 10 milisegundos.
Corriente Directa Media (If av): 8 Amperios (A) bajo condiciones de operación con temperatura de carcasa controlada.
Corriente de Pico Repetitiva en Estado de Conducción (Ifrm): Hasta 45 Amperios (A).
Corriente de Sobretensión Directa No Repetitiva (Ifsm): Soporta picos momentáneos de corriente (de tipo onda senoidal de 10 milisegundos) de hasta 60 Amperios (A).
Caída de Voltaje Directo Máxima (Vf): Típicamente entre 1.35 y 1.6 Voltios (V) cuando conduce su corriente nominal de 8 Amperios.
Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Ultra rápido, con valores de diseño típicos de 170 a 250 nanosegundos (ns). Esto minimiza drásticamente las pérdidas de potencia por conmutación a altas frecuencias.
Dimensiones Físicas
Su estructura externa corresponde al estándar de encapsulado plá
Tipo de Encapsulado: SOD113 / TO-220F (Fullpack plástico).
Ancho del Cuerpo: Aproximadamente 10.3 milímetros (mm).
Altura del Cuerpo (sin incluir terminales): Alrededor de 15.8 milímetros (mm).
Grosor o Profundidad: Cerca de 4.5 milímetros (mm).
Configuración de Terminales: Posee dos pines de conexión que sobresalen de la base plástica, con una longitud de fábrica de aproximadamente 13.5 milímetros (mm) y una separación estándar entre centros de 5.08 milímetros (mm).
Alamiento Integrado: La pestaña de fijación superior tiene un orificio para tornillo M3 y cuenta con una especificación de aislamiento interno que soporta hasta 2500 Voltios RMS entre los pines eléctricos y el disipador térmico externo.
Conexiones Internas
El BY329X-1500S cuenta con una unión semiconductora P-N de silicio de alta tecnología con difusión de impurezas optimizada para alto voltaje:
Estructura de dos pines: A diferencia de los transistores convencionales en formato TO-220 que cuentan con tres terminales, este diodo utiliza únicamente dos pines activos de potencia.
Identificación de Terminales: Mirando el diodo de frente (con la cara grabada del texto hacia usted y los pines apuntando hacia abajo):
Pin 1 (Izquierdo): Cátodo (K) - Es el polo negativo del diodo.
Pin 2 (Derecho): Ánodo (A) - Es el polo positivo del diodo.
Protección Interna: La estructura de la oblea de silicio incorpora un diseño de anillo de guarda (guard ring) que distribuye las líneas de campo eléctrico de forma homogénea, evitando rupturas prematuras por avalancha en los bordes del chip cuando es sometido a tensiones cercanas a los 1500 Voltios.
Gracias a su combinación de alto bloqueo de voltaje, conmutación ultra rá
Circuitos Damper (Amortiguadores): Absorción de picos de retorno de energía y oscilaciones de alta tensión en las etapas de deflexión horizontal de monitores industriales y pantallas TRC de alta resolución.
Fuentes de Alimentación Conmutadas (SMPS): Diodo de salida o rectificador secundario en fuentes industriales de alta eficiencia que operan a frecuencias elevadas.
Circuitos de Snubber (Redes de Amortiguación): Protección de transistores MOSFET o IGBT contra picos de sobretensión inductiva en inversores de soldadura y cargadores de baterías de alta potencia.
Convertidores Elevadores de Voltaje (Boost Converters): Etapas de conversión de energía en sistemas inversores solares y fuentes de alimentación para telecomunicaciones.
Referencias Específicas