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IGBT - IPM
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83A/1200V/7U
SEMIKRON
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El SKIIP83HEC125T1 (también escrito como SKiiP 83 HEC 125 T1) es un módulo inversor de potencia trifásico de alta gama con tecnología IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), diseñado y fabricado por la firma alemana SEMIKRON (actualmente Semikron Danfoss), uno de los líderes absolutos a nivel mundial en el desarrollo de semiconductores de potencia y electrónica industrial pesada.
Este componente es un bloque electrónico de conmutación de estado sólido masivo. Su función principal en la planta es actuar como el músculo de potencia principal dentro de un variador de frecuencia (VFD), servo-amplificador pesado o inversor de energía, encargándose de trocear corrientes eléctricas muy elevadas a altas frecuencias para controlar la velocidad, dirección y torque de grandes motores eléctricos industriales.
1. Desglose Técnico de la Nomenclatura (Especificaciones de Potencia)
Cada sección del código grabado con láser en la carcasa del módulo detalla un límite operativo estricto calibrado para soportar el trabajo pesado continuo:
SKiiP (Semikron Integrated Intelligent Power): Pertenece a la prestigiosa familia de módulos compactos de Semikron. Esta arquitectura integra en una misma plataforma mecánica los chips de silicio de los transistores IGBT, los diodos de protección de marcha libre (free-wheeling diodes) y las conexiones de cobre optimizadas, ofreciendo una baja inductancia parásita y alta eficiencia térmica.
83 (Tamaño del Chasis / Plataforma): Define el factor de forma físico, la distribución geométrica de los pines de control superiores y los bornes de fuerza atornillables del módulo.
HEC (High Efficiency Copper / Configuración): Indica una optimización en la placa base de cobre para maximizar la transferencia térmica hacia el disipador, además de especificar la topología de circuito interno (típicamente un puente trifásico completo de 6 IGBTs en configuración de medio puente para cada fase).
125 (Capacidad de Corriente Nominal): Está
T1 / 12 (Clasificación de Voltaje): Los chips de los transistores IGBT integrados están clasificados con un voltaje de ruptura masivo de hasta 1200 Voltios (V). Esto los hace ideales para operar de forma segura en redes industriales trifásicas estándar de 380V, 440V y 480V CA, tolerando los picos de voltaje provocados por el frenado regenerativo del motor.
2. Características Avanzadas de Construcción (Tecnología Trench / Fieldstop)
Semikron inyecta su ingeniería de vanguardia en la fabricación de las obleas internas de este módulo para garantizar una conmutación limpia:
Tecnología de IGBT Trench Gate: La estructura interna de las compuertas de los transistores reduce drásticamente las pérdidas de potencia por conducción (caída de voltaje en estado encendido). La energía disipada en forma de calor residual es mínima en comparación con tecnologías antiguas.
Placa Base de Cobre con Aislamiento DBC (Direct Bonded Copper): Los componentes internos de silicio están soldados sobre un sustrato cerámico de nitruro de aluminio (AlN) u óxido de alúmina, pegado directamente a una base de cobre macizo. Esto proporciona un aislamiento eléctrico dieléctrico superior a 2500V entre las terminales de fuerza y el disipador de aluminio físico de la máquina, garantizando la seguridad en el taller.
Sensor de Temperatura Integrado (NTC Termistor): Aloja internamente una pequeña resistencia térmica tipo NTC en contacto directo con el sustrato del silicio. La tarjeta de control del variador lee continuamente este termistor; si la temperatura de los IGBTs supera el límite crítico de operación (típicamente alrededor de 125°C a 150°C), el variador bloquea los disparos de forma inmediata para salvar el módulo de una destrucción por fusión térmica.
Debido a su capacidad de 125A y 1200V, el módulo Semikron SKIIP83HEC125T1 se desempeña de manera regular como la refacción de potencia principal en:
Variadores de Frecuencia (VFD) de Mediana y Gran Potencia: Etapa de salida inversora en variadores de marcas premium (como Siemens, Yaskawa, Danfoss, Schneider, ABB) encargados de mover motores trifásicos de jaula de ardilla en bombas de agua masivas, compresores de tornillo y ventiladores de tiro forzado en calderas.
Inversores para Energías Renovables: Módulos de conmutación en la etapa de potencia de inversores solares comerciales de gran escala e inversores de turbinas eólicas.
Fuentes de Poder para Hornos de Inducción Eléctrica: Sistemas de conmutación rápida de corriente para generar campos magnéticos de alta frecuencia utilizados en la fundición de metales en siderúrgicas.
Sistemas de Respaldo UPS Industriales: Inversores de onda senoidal pura para bancos de baterías de gran formato que protegen instalaciones hospitalarias o centros de datos (Data Centers).