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GT15J101
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GT15J101
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Features
SILICON N-CHANNEL IGBT
High Input Impedance
High Speed : tf=0.35us (Max.)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)=4.0V (Max.)
Enhancement-Mode
Aplications
Applications
High Power Switching
Fast Switching
Miscellaneous * Semiconductor
Miscellaneous
GT15J101
Semiconductor
GT15J101
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- GT15J101
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