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GT15Q101
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GT15Q101
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Features
SILICON N-CHANNEL IGBT
High Input Impedance
High Speed : tf=0.5us (MAX.)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)= 4.0 V (Max.)
Enhancement-mode
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
Toshiba * Transistor
Toshiba
GT15Q101
IGBT 15A 1200V SINGLE TO-247AC
GT15Q101
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- GT15Q101
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