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IRFP90N20D
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IRFP90N20D
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Features
HEXFET Power MOSFET
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully characterized Capacitance Incluing
Effective COSS to Simplify Design (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Aplications
Applications
High frequency DC-DC converters
IRFP90N20D
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- IRFP90N20D
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