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IXFH20N60Q
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IXFH20N60Q
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Features
HiPerFET Power MOSFET
IXYS advanced low gate chargte process
International stu00c3u00a1ndar package
Low gate charge and capacitance easier to drive
faster switching
Low RDS(on)
Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
Molding epoxies meet UL 94 V - 0 flammability classification
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
IXFH20N60Q
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- IXFH20N60Q
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