MCD95-16 io8B

El MCD95-16 io8B (o MCD95-16io8B) de IXYS Corporation / Littelfuse (familia TO-240AA Dual Thyristor/Diode Modules) es un módulo de potencia híbrido semiconductor de dos ramas tiristor-diodo en configuración de medio puente (Thyristor/Diode Module / Phase-Leg), diseñado para aplicaciones de rectificación semicontrolada, control de potencia por ángulo de fase, arrancadores suaves (soft starters) para motores de CA, fuentes de alimentación industriales y control de temperatura en sistemas de calentamiento resistivo.

Fabricado en una carcasa estándar internacional JEDEC TO-240AA con placa base de cobre aislada mediante sustrato cerámico de alúmina (Al2O3 DBC) para montaje directo sobre disipador térmico, incorpora chips pasivados planares con un tiristor de control de fase y un diodo de potencia conectados internamente en cátodo común / serie. Soporta una tensión repetitiva máxima de bloqueo en estado inverso y desactivado de 1600 V, corriente nominal en conducción de 116 A (ITAV a 64 °C / 95 A a 85 °C) con corriente eficaz IT(RMS) de hasta 180 A, aislamiento galvánico reforzado de hasta 3600 VAC, terminales de potencia de tornillo M5 cautivos y terminales de control para disparo de compuerta y cátodo auxiliar en versión 8B.

Specs

Fabricante: IXYS Corporation (Littelfuse Inc.)

Modelo / Referencia: MCD95-16 io8B (MCD95-16io8B)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111706 / Módulos de tiristor-diodo / Power Semiconductor Modules)

Familia / Serie: Serie MCD / TO-240AA Thyristor/Diode Modules

Tipo de Componente: Módulo híbrido tiristor-diodo de potencia (Thyristor / Diode Module)

Configuración Interna: 1 Tiristor + 1 Diodo en serie / rama de medio puente (cátodo común)

Tipo de Montaje: Fijación mediante 2 tornillos sobre disipador térmico con placa base de cobre aislada

Desglose de la Nomenclatura

MC: Módulo semiconductor de potencia IXYS (Module Controlled)

D: Configuración de rama mixta tiristor-diodo (Thyristor-Diode)

95: Clase de corriente nominal media de aprox. 95 A (a Tc = 85 °C)

-16: Tensión asignada repetitiva de bloqueo de 1600 V (16 x 100 V)

io8B: Variante de diseño y configuración de terminales de control de puerta/cátodo

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Repetitiva de Pico en Bloqueo (VDRM / VRRM): 1600 V

Tensión no Repetitiva de Pico (VDSM / VRSM): 1700 V

Corriente Nominal Media Directa (ITAV / IFAV): 116 A (a Tc = 64 °C) / 95 A (a Tc = 85 °C)

Corriente Eficaz Nominal (ITRMS / IFRMS): 180 A

Corriente de Sobretensión no Repetitiva (ITSM / IFSM): Aprox. 2250 A (pulso sinusoidal de 10 ms a Tj = 125 °C)

Valor Integral de Corriente (I²t): Aprox. 25,000 A²s (a 10 ms, Tj = 125 °C)

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 3600 VAC (50/60 Hz, 1 segundo) / 3000 VAC (1 minuto)

Tasa Crítica de Subida de Tensión (dv/dt): Mínimo 1000 V/µs (a Tj = 125 °C)

Tasa Crítica de Subida de Corriente (di/dt): 150 A/µs (servicio continuo)

Características de Disparo de Puerta (Gate)

Tensión de Disparo de Puerta (VGT): Menor o igual a 2.5 V (a Tj = 25 °C)

Corriente de Disparo de Puerta (IGT): Aprox. 100 mA a 150 mA (a Tj = 25 °C)

Tensión de No Disparo de Puerta (VGD): 0.25 V (a Tj = 125 °C)

Pérdida Máxima de Potencia de Pico en Puerta (PGM): 10 W (pico transitorio)

Características Eléctricas en Conducción

Tensión Directa en Conducción del Tiristor (VT): Típico 1.45 V a 1.6 V (a IT = 300 A, Tj = 25 °C)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típico 1.40 V a 1.55 V (a IF = 300 A, Tj = 25 °C)

Corriente Inversa y de Fuga de Bloqueo (IDRM / IRRM): Menor o igual a 5 mA a 10 mA (a tensión máxima, Tj = 125 °C)

Propiedades Térmicas y Mecánicas

Formato de Encapsulado: Estándar industrial JEDEC TO-240AA

Dimensiones Físicas: Aprox. 92 mm (largo) x 20 mm (ancho) x 30 mm (alto)

Sustrato Cerámico: Alúmina (Al2O3) con placa base de cobre unida directamente (DBC)

Terminales de Potencia: Bornes con tornillo roscado métrico M5 cautivos

Terminales de Control: Pines de conexión para puerta (gate) y cátodo auxiliar

Par de Apriete al Disipador (Tornillos M5): 4.0 N·m a 5.0 N·m

Par de Apriete de Bornes de Potencia (Tornillos M5): 2.5 N·m a 4.0 N·m

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.28 °C/W por rama

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +125 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Peso Aproximado: Aprox. 100 g a 120 g

Normativas y Homologaciones

Aislamiento Eléctrico: Reconocido bajo normativa UL (archivo UL E72873)

Conformidad Medioambiental: Marcado CE, directiva RoHS

Puentes rectificadores semicontrolados monofásicos y trifásicos en fuentes de corriente continua.

Arrancadores suaves de estado sólido (Soft Starters) para motores de inducción de corriente alterna.

Control de accionamientos de velocidad y campo en motores de corriente continua.

Regulación térmica por control de fase en hornos, extrusoras y secadores industriales.

Equipos de soldadura y sistemas de carga de baterías industriales.