BSM150GB120DN2

El BSM150GB120DN2 de Infineon Technologies (originalmente desarrollado bajo la marca eupec / Siemens Semiconductor) es un módulo de potencia semiconductor IGBT dual con topología de medio puente (Half-Bridge / Dual IGBT Module), perteneciente a la familia de módulos de potencia estándar para conmutación rápida Infineon Serie BSM / SIMOPAC. Su función tecnológica primordial es actuar como rama de fase en inversores y convertidores estáticos de potencia para el control vectorial y modulación PWM de motores trifásicos, conversión de potencia en sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI/UPS), generadores eólicos y fuentes conmutadas de alta potencia.

Construido en un encapsulado modular industrial de perfil bajo estándar de 34 mm / 62 mm con placa base de cobre aislada galvánicamente mediante sustrato cerámico (DBC) y grado de protección IP00, soporta una tensión asignada colector-emisor de 1200 V (VCES) y una corriente continua de colector de 150 A (a temperatura de carcasa Tc = 80 °C) con capacidad de hasta 200 A (a Tc = 25 °C). Incorpora tecnología de chip IGBT planar NPT (Non-Punch-Through) de conmutación rápida (Fast IGBT) emparejado con diodos de recuperación ultra-rápida y suave en antiparalelo (CAL / Free-Wheeling Diodes), terminales principales de potencia con tornillos roscados M5, terminales de control tipo Faston de 2.8 mm x 0.8 mm y una tensión de aislamiento de 2500 VAC.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies AG / eupec (Múnich / Warstein, Alemania)

Modelo / Referencia: BSM150GB120DN2 (BSM 150 GB 120 DN2)

Código de Producto / UNSPSC: 32111500 / 32111502 (Módulos semiconductores IGBT / IGBT Power Modules)

Familia / Serie: Serie BSM (Infineon High Power Dual Modules)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT doble en medio puente (Half-Bridge Dual IGBT)

Topología Interna: Medio puente (2 conmutadores IGBT en serie con diodos de marcha libre antiparalelo)

Tipo de Montaje: Fijación mecánica con tornillos (M6) sobre disipador térmico con compuesto térmico

Asignación de Pines / Terminales (Pinout - Formato Medio Puente)

Tipo de Conexión: Terminales principales de pletina con tuerca M5 y terminales auxiliares de control Faston de 2.8 mm x 0.8 mm

Distribución de Terminales Principales de Potencia:

Terminal 1 (C2E1 / FASE AC): Punto medio de conmutación / Salida de fase AC

Terminal 2 (+ / C1): Colector del IGBT superior (Conexión a Bus DC+)

Terminal 3 (- / E2): Emisor del IGBT inferior (Conexión a Bus DC-)

Distribución de Terminales Auxiliares de Control:

Terminal 4 (G1): Puerta (Gate) del IGBT de rama alta (Upper IGBT)

Terminal 5 (E1): Emisor auxiliar de referencia del IGBT de rama alta

Terminal 6 (G2): Puerta (Gate) del IGBT de rama baja (Lower IGBT)

Terminal 7 (E2): Emisor auxiliar de referencia del IGBT de rama baja

Desglose de la Nomenclatura

BSM: Módulo de silicio bipolar estándar Infineon/eupec (Bipolar Standard Module)

150: Corriente asignada nominal continua de colector: 150 A (a Tc = 80 °C)

GB: Configuración de circuito en medio puente (Half-Bridge / Chopper/Phase-leg)

120: Tensión de bloqueo colector-emisor dividida entre 10: 1200 V

D: Diodo de libre circulación integrado en antiparalelo con cada IGBT

N2: Generación del chip IGBT NPT de conmutación rápida optimizada (Fast NPT IGBT chip generation)

Especificaciones Eléctricas de Operación

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): ±20 V

Corriente Continua de Colector (IC): 150 A (a Tc = 80 °C) / 200 A (a Tc = 25 °C)

Corriente de Colector de Pico Repetitiva (ICM): 300 A (1 ms)

Potencia Máxima Disipada por Elemento (Ptot): Aprox. 1100 W (por IGBT a Tc = 25 °C)

Tensión de Aislamiento Galvánico (Visol): 2500 VAC (50 Hz durante 1 minuto entre terminales y base disipadora)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típica 2.50 V (máx. 3.10 V a IC = 150 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típica 2.00 V a 2.50 V (a IF = 150 A)

Tiempo de Caída / Conmutación (tf / toff): Aprox. 70 ns a 100 ns (alta velocidad de corte)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Paquete plano estándar de potencia tipo 34 mm / 62 mm

Dimensiones Físicas:

Longitud: Aprox. 106 mm a 108 mm

Anchura de base: Aprox. 62 mm

Altura de envolvente: Aprox. 30 mm a 30.5 mm

Material de la Placa Base: Cobre de alta conductividad con revestimiento superficial

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): <= 0.11 K/W (por IGBT) / <= 0.20 K/W (por diodo)

Par de Apriete de Terminales de Potencia (M5): 2.5 Nm a 5.0 Nm

Par de Apriete al Disipador (Tornillos M6): 3.0 Nm a 6.0 Nm

Peso Aproximado: Aprox. 320 g a 350 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Unión en Operación (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Grado de Protección: IP00 conforme a IEC 60529

Normativas y Homologaciones: Homologación UL Recognized (File E83335), marcado CE y cumplimiento directiva RoHS

Rama inversora de variadores de frecuencia (VFD) y servodrivers industriales de media potencia.

Convertidores DC/AC en sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS/SAI) industriales trifásicos.

Etapas de potencia para equipos de soldadura por arco y calentamiento por inducción de alta frecuencia.

Inversores centrales para instalaciones de energía solar fotovoltaica y generadores eólicos.

Filtros activos de potencia (APF) y compensadores estáticos de reactiva en redes de distribución.