2MBI400N-060

El Fuji 2MBI400N-060 es un módulo de potencia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de doble canal (Dual IGBT Module) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia. Al ser un módulo 2MBI, contiene dos transistores IGBT en una configuración de medio puente (half-bridge) dentro de un solo paquete.

Especificaciones Eléctricas Principales

Voltaje Colector-Emisor (Vces): 600 Voltios. Está

Corriente de Colector (Ic): 400 Amperios (a una temperatura de carcasa de 25 grados Celsius).

Voltaje de Saturación (Vce sat): Típicamente 2.1 Voltios. Este valor bajo indica una alta eficiencia durante la conducción.

Configuración: Dual (Medio Puente). Incluye dos IGBTs independientes que pueden conectarse en serie para controlar una fase de un motor o inversor.

Caracterí

Tecnología de Cuarta Generación: Utiliza una estructura de puerta plana que ofrece un equilibrio óptimo entre velocidad de conmutación y robustez.

Diodos de Recuperación Rápida (FWD): Cada IGBT tiene integrando en paralelo un diodo de rotación libre de alta velocidad, esencial para proteger el transistor contra picos de voltaje inductivos.

Encapsulado de Alta Potencia: El módulo cuenta con una base de cobre aislada térmicamente, lo que facilita el montaje sobre un disipador de calor sin necesidad de aislantes externos.

Diagrama de Conexiones

El módulo cuenta con terminales de tornillo robustos para las conexiones de potencia y pines má

C1 / C2E1 / E2: Terminales de potencia para el Colector y Emisor de los dos transistores.

G1 / E1 y G2 / E2: Terminales de control (Puerta y Emisor) para cada canal. Aquí es donde se conecta el circuito de disparo (Gate Driver).

Este módulo es un componente fundamental en:

Sistemas UPS de Alta Potencia: Inversores para sistemas de alimentación ininterrumpida.

Máquinas de Soldadura Inverter: Proporciona la conmutación de alta corriente necesaria para el arco voltaico.

Servocontroladores: Etapas de salida para servomotores industriales de alto torque.