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MODULOS DIODO DE RECUPERACION RAPIDA
Última actualización
60A/600V/2U
IXYS
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El DSEI2x61-06C de IXYS Corporation (división de semiconductores de potencia / Littelfuse) es un módulo dual de diodos epitaxiales de recuperación rápida (Fast Recovery Epitaxial Diode - FRED), perteneciente a la familia de dispositivos de conmutación ultrarrápida en encapsulado estándar SOT-227B (miniBLOC / ISOTOP compatible), diseñado para operar como diodo antiparalelo de libre circulación (freewheeling diode), diodo amortiguador (snubber) y rectificador de alta frecuencia en inversores de tracción, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores resonantes, cargadores de baterías y equipos de soldadura por arco.
Construido en un bastidor de perfil bajo para montaje sobre disipador con placa base de cobre aislada galvánicamente hasta 2,500 VAC (certificación UL E72873) y grado de protección IP00, integra internamente dos diodos FRED independientes con pasivación planar. Opera con una tensión asignada de bloqueo inverso repetitivo (VRRM) de 600 V, entregando una corriente media en conducción (IFAV) de 60 A por diodo (con capacidad de hasta 120 A en conexión paralela) a una temperatura de carcasa de 70 °C, destacando por un tiempo de recuperación inverso ultracorto (trr típico de 35 ns a 50 ns), comportamiento de corte suave (soft recovery), bajas pérdidas de conmutación y terminales de potencia roscados para tornillos M4.
Specs
Fabricante: IXYS Corporation / Littelfuse, Inc.
Modelo / Referencia: DSEI2x61-06C (DSEI2X61-06C)
Código de Producto / UNSPSC: 32111500 / 32111502 (Diodos de conmutación rápida / Fast Recovery Diode Modules)
Familia / Serie: Serie DSEI (Dual Fast Recovery Epitaxial Diodes - FRED)
Tipo de Componente: Módulo dual de diodos FRED de recuperación rápida independientes (2 diodos en 1 encapsulado)
Tipo de Montaje: Fijación por atornillado directo sobre disipador térmico mediante 2 tornillos M4 pasantes
Asignación de Pines / Terminales (Pinout)
Tipo de Conector / Regleta: 4 terminales roscados integrados de métrica M4 en la cara superior del encapsulado miniBLOC
Distribución de Pines / Bornes (2 Diodos FRED independientes):
Terminal 1: Cátodo del Diodo 1 (K1)
Terminal 2: Ánodo del Diodo 1 (A1)
Terminal 3: Cátodo del Diodo 2 (K2)
Terminal 4: Ánodo del Diodo 2 (A2)
Placa Base: Base metálica de cobre aislada eléctricamente respecto a los cuatro terminales (Visol 2,500 VAC)
Desglose de la Nomenclatura
DSEI: Familia de diodos de potencia epitaxiales de recuperación rápida de IXYS (Diode Fast Recovery Epitaxial)
2x: Configuración interna de doble circuito independiente (2 diodos en el mismo cuerpo)
61: Calibre asignado de corriente media en conducción: aprox. 60 A por diodo a Tc especificada
-06: Tensión asignada de bloqueo multiplicada por 100: 06 x 100 V = 600 V (VRRM)
C: Configuración de conexiones y asignación de terminales en formato miniBLOC / SOT-227B
Especificaciones de Entrada y Bloqueo (Estado Inverso)
Tensión de Pico Inversa Repetitiva (VRRM): 600 V
Tensión de Pico Inversa No Repetitiva (VRSM): 600 V
Corriente de Fuga Inversa (IR):
A 25 °C: Menor o igual a 1.0 mA a VRRM
A 125 °C: Menor o igual a 20 mA a VRRM
Especificaciones Eléctricas de Operación y Conducción
Corriente Media Directa por Diodo (IFAV): 60 A (a Tc = 70 °C, onda rectangular d = 0.5)
Corriente Media Directa Combinada (en paralelo): 120 A (a Tc = 70 °C)
Corriente Eficaz Directa (IFRMS): Aprox. 100 A por terminal
Corriente de Sobretensión Directa No Repetitiva (IFSM): Aprox. 500 A (a 10 ms, medio seno, Tj = 45 °C)
Integral de Disipación / Fusión (I²t): Aprox. 1,250 A²s (para t = 10 ms a Tj = 45 °C)
Caída de Tensión Directa de Pico (VF):
Típica: 1.4 V a 1.6 V (a IF = 60 A, Tj = 25 °C)
Típica en caliente: 1.2 V a 1.4 V (a IF = 60 A, Tj = 125 °C)
Parámetros Dinámicos y Conmutación (FRED)
Tiempo de Recuperación Inverso (trr): Aprox. 35 ns a 50 ns (a IF = 1 A, -di/dt = 200 A/µs, VR = 30 V)
Corriente de Recuperación Inversa de Pico (IRM): Aprox. 15 A a 20 A (a IF = 60 A, -di/dt = 100 A/µs, VR = 300 V, Tj = 100 °C)
Característica de Recuperación: Recuperación suave (Soft recovery behavior) para evitar sobretensiones transitorias y reducir interferencias electromagnéticas (EMI)
Construcción Mecánica y Dimensiones
Tamaño de Bastidor / Formato: Encapsulado estándar miniBLOC (conforme a JEDEC SOT-227B / ISOTOP)
Dimensiones Físicas: 38.0 mm (longitud) x 25.0 mm a 25.5 mm (anchura) x 12.0 mm (altura del cuerpo sin bornes)
Distancia entre Orificios de Montaje: 30.0 mm (orificios pasantes de 4.2 mm para tornillos M4)
Materiales:
Placa Base: Cobre niquelado para baja resistencia térmica
Aislamiento Interno: Cerámica técnica de alta alúmina (Direct Copper Bonded - DCB)
Envolvente: Termoplástico técnico moldeado autoextinguible (UL 94V-0)
Pares de Apriete Recomendados:
Montaje sobre disipador: 1.1 N·m a 1.5 N·m
Terminales eléctricos M4: 1.1 N·m a 1.3 N·m
Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.85 °C/W por diodo (0.42 °C/W con ambos diodos en paralelo)
Peso Aproximado: Aprox. 30 g
Condiciones Ambientales y Seguridad
Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C
Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +150 °C
Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 2,500 VAC (50/60 Hz durante 1 minuto entre terminales y placa base)
Grado de Protección: IP00 (requiere instalación dentro de gabinete cerrado o chasis de equipo)
Normativas y Homologaciones: Homologación UL Recognized (archivo E72873), directiva RoHS y marcado CE
Diodo de libre circulación (freewheeling) en paralelo con transistores IGBT o MOSFET en puentes inversores para control de motores.
Rectificación secundaria de alta frecuencia en fuentes de alimentación conmutadas industriales (SMPS) y sistemas UPS.
Diodo de bloqueo y retorno en convertidores CC-CC reductores (Buck) y elevadores (Boost).
Circuitos de desmagnetización y redes amortiguadoras (snubbers) para protección de semiconductores de potencia.
Etapas de salida en fuentes de corriente para máquinas de soldadura eléctrica por arco e inversores solares.
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