FD600R06ME3_S2

El FD600R06ME3_S2 de Infineon Technologies (anteriormente eupec) es un módulo de potencia semiconductor de chopper de frenado / chopper reductor (Chopper IGBT Power Module), perteneciente a la familia de módulos compactos de alto rendimiento EconoPACK 3, diseñado para la disipación dinámica de energía de frenado en bus de corriente continua, variadores de frecuencia, fuentes de alimentación industriales y accionamientos de tracción eléctrica.

Fabricado sobre una carcasa de perfil bajo con placa base de cobre para transferencia térmica plana hacia el disipador, integra un transistor IGBT Trench/Fieldstop 3 con diodo de recuperación rápida Emitter Controlled 3 en el interruptor principal y un diodo de libre circulación de alta capacidad de corriente en el ramal complementario. Opera con una tensión asignada de ruptura colector-emisor (Vces) de 600 V y una corriente nominal continua de colector (Ic) de 600 A (a 25 °C), proporcionando un coeficiente de temperatura positivo para facilitar el conexionado en paralelo, bajas pérdidas de conmutación y conducción gracias a su reducida inductancia parásita interna, y un termistor NTC integrado para la monitorización térmica directa del sustrato.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies AG

Modelo / Referencia: FD600R06ME3_S2 (FD600R06ME3-S2)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 / 39121500 (Módulos de potencia IGBT / IGBT Power Modules)

Familia / Serie: Serie EconoPACK 3 (IGBT3 Trench/Fieldstop Technology)

Topología del Circuito: Chopper de frenado / Chopper reductor (Braking Chopper / Buck Chopper)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT con diodo de libre circulación integrado y NTC

Tipo de Montaje: Fijación mediante tornillos métricos sobre disipador térmico plano

Asignación de Interfaces y Conexión

Topología Interna: 1 IGBT en el lado inferior/chopper con diodo antiparalelo integrado y 1 diodo de potencia rápido en el lado superior para conducción de corriente regenerativa hacia el bus

Terminales de Potencia: Bornes principales tipo lengüeta/espada para atornillado o soldadura pesada (DC+, DC-, Carga de frenado / Chopper out)

Pines de Control y Señal: Pines de soldadura para inserción en PCB (puerta de disparo de IGBT, emisor auxiliar de control)

Sensor Térmico Integrado: 2 terminales dedicados para termistor NTC interno de medición de temperatura de base

Inductancia Parásita: Diseño de inductancia interna ultra-baja (típicamente inferior a 20 nH) para minimizar sobretensiones transitorias

Desglose de la Nomenclatura

FD: Fast Diode / Chopper Configuration (Topología de transistor IGBT y diodo para chopper)

600: Corriente nominal continua asignada de colector: 600 A

R: Configuración de chip IGBT

06: Tensión asignada de bloqueo colector-emisor dividida por 100: 600 V

ME3: Encapsulado de la serie EconoPACK 3 con tecnología de chip IGBT3

_S2: Variante de selección de chip o configuración especial de terminales/especificación térmica

Especificaciones Eléctricas Absolutas (Máximos Asignados a Tvj = 25 °C)

Tensión Colector-Emisor (Vces): 600 V

Tensión Puerta-Emisor (Vges): ±20 V

Corriente Continua de Colector (Ic): 600 A (a Tc = 25 °C) / aprox. 400 A a 450 A (a Tc = 80 °C)

Corriente de Pico Repetitiva de Colector (Icrm): 1200 A (pulso de 1 ms)

Corriente Continua de Diodo Chopper (If): 600 A

Corriente de Pico Repetitiva de Diodo (Ifrm): 1200 A

Tensión de Aislamiento Galvánico (Visol): 2500 Vrms (CA 1 minuto, terminales a base)

Características Eléctricas y de Conmutación (Típicas)

Tensión de Saturación Colector-Emisor [Vce(sat)]: Aprox. 1.45 V a 1.60 V (a Ic = 600 A, Vge = 15 V, Tvj = 25 °C)

Tensión Umbral de Puerta [Vge(th)]: 4.9 V a 6.5 V

Tensión Directa del Diodo [Vf]: Aprox. 1.40 V a 1.60 V (a If = 600 A, Tvj = 25 °C)

Carga de Puerta Total (QG): Aprox. 6.0 µC (a Vge = -15 V ... +15 V)

Pérdidas de Energía por Encendido (Eon): Bajas pérdidas de conmutación optimizadas para frecuencias medias

Pérdidas de Energía por Apagado (Eoff): Bajas pérdidas dinámicas sin corriente de cola excesiva

Resistencia Interna del NTC: 5 k? a 25 °C (constante B aprox. 3375 K / 3411 K)

Parámetros Térmicos y Mecánicos

Resistencia Térmica Unión a Carcasa [Rthjc IGBT]: Aprox. 0.12 °C/W

Resistencia Térmica Unión a Carcasa [Rthjc Diodo]: Aprox. 0.20 °C/W

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador [Rthch]: Aprox. 0.02 °C/W (con pasta térmica aplicada)

Temperatura de Unión Operativa Máxima (Tvj op): -40 °C a +150 °C (hasta +175 °C bajo condiciones de sobrecarga)

Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +125 °C

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Encapsulado compacto EconoPACK 3

Material de la Placa Base: Cobre de alta conductividad térmica

Dimensiones Físicas: Aprox. 122.0 mm (largo) x 62.0 mm (ancho) x 17.0 mm a 20.5 mm (alto del cuerpo)

Par de Apriete de Montaje al Disipador (Tornillos M5): 3.0 Nm a 6.0 Nm

Peso Aproximado: Aprox. 300 g a 350 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Grado de Inflamabilidad: Material aislante según norma UL 94V-0

Normativas y Homologaciones: Homologación UL Component Recognized, marcado CE, cumplimiento de la directiva RoHS

Módulo chopper de disipación de frenado resistivo dinámico en variadores de frecuencia de baja tensión.

Convertidores DC-DC reductores y elevadores (Buck/Boost Converters) en sistemas de almacenamiento y baterías.

Fuentes de alimentación conmutadas de alta corriente para galvanoplastia y soldadura industrial.

Unidades auxiliares de tracción eléctrica y vehículos industriales alimentados por batería.