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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
75A/600V/6U
No Identificado
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SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Electrodes are Isolated from Case
High Input Impedance
6 IGBTs built into 1 Package
Enhancement-Mode
High Speed :
tf=1.0us (Max.) (IC=75A)
trr=0.25us (Max.) (IF=75A)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) =2.70V (Max.) (IC=75A)
Applications
High Power Switching
Motor Control