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FF1200R12KE3
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FF1200R12KE3

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MODULOS IGBT

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DatasheetFF1200R12KE3

1200A/1200V/2U

INFINEON

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Features

El Infineon FF1200R12KE3 es un módulo de potencia tipo IGBT dual de altísima capacidad, perteneciente a la reconocida familia de encapsulados IHM-B de Infineon. Este componente está

Decodificación del Modelo y Datos Eléctricos

FF: Configuración de medio puente (Half-Bridge). Integra dos interruptores IGBT en serie dentro del mismo cuerpo plástico.

1200: Corriente nominal colector-emisor de 1200 Amperios continuos (bajo condiciones controladas de temperatura de carcasa a 80 °C).

R12: Voltaje de bloqueo máximo colector-emisor de 1200 Voltios (1.2 kV), óptimo para aplicaciones en redes industriales trifásicas estándar.

KE3: Indica el uso de la tecnología de chip IGBT3 con compuerta de trinchera (Trenchstop) y diodos de libre circulación Emmitter Controlled. La serie KE3 destaca por tener un voltaje de saturación muy bajo y un comportamiento de conmutación sumamente robusto.

Especificaciones Técnicas Destacadas

Corriente Máxima de Pico (Icm): Puede manejar picos de corriente transitorios de hasta 2400 Amperios por periodos cortos.

Voltaje de Aislamiento (Viso): La base del módulo está completamente aislada eléctricamente de los chips internos, soportando hasta 2500 Voltios AC eficaces por un minuto.

Temperatura de Operación: Diseñado para operar de forma continua con una temperatura de unión de hasta 125 °C (pudiendo llegar a 150 °C en picos transitorios).

Diagrama de Conexiones Internas

Internamente, el módulo distribuye sus componentes para formar una sola fase o rama de conmutación:

Terminales de Colector Superior (C1): Se conectan a la barra de cobre positiva del bus de corriente directa (+).

Terminales de Emisor Inferior (E2): Se conectan a la barra de cobre negativa del bus de corriente directa (-).

Terminales de Salida Central (C2E1): Es el punto de unión media y de aquí sale el cable o barra de fuerza hacia la carga o fase del motor.

Bornes de Control Auxiliares: Pines dedicados para conectar los circuitos de disparo de compuerta y emisor auxiliar (G1/E1 para el IGBT superior y G2/E2 para el inferior), esenciales para que la tarjeta Gate Driver envíe los pulsos de encendido de forma limpia.

Aplications

Debido a su capacidad de 1200A, este mó

1. Inversores Centrales para Energía Renovable

Es un estándar industrial en las etapas de potencia de inversores solares centrales (plantas fotovoltaicas a gran escala) y en los convertidores de frecuencia de aerogeneradores eólicos, donde se transforman megavatios de energía para inyectarlos a la red eléctrica de alta tensión.

2. Variadores de Frecuencia Pesados (Mega-Drives)

Se utiliza en los inversores encargados de controlar motores eléctricos gigantescos (comúnmente superiores a 250 kW o 350 HP) empleados en molinos de minería, estaciones de bombeo de agua municipales, grandes ventiladores de tiro inducido en cementeras y compresores de refinerías.

3. Tracción Ferroviaria y Marítima

Forma parte de los sistemas de propulsión eléctrica y convertidores auxiliares en locomotoras de trenes de carga/pasajeros, barcos de propulsión eléctrica y vehículos industriales mineros de acarreo pesado.

Infineon, Formerly Eupec IGBTs

Infineon, Formerly Eupec

FF1200R12KE3

IGBT 1200A 1200V DUAL ; Type; Dual

Vces; 1200 Volts DC

Ic; 1200 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 5 MilliAmps

Iges Max; 0.4 MicroAmps

Vge(th) Min/Max; 6.5 Volts

Vce(sat) Max; 2.15 Volts

Height (mm); 38

Width (mm); 130

Depth (mm); 140

Circuit Type; Single IGBT ;

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Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
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