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FF1200R17KE3
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FF1200R17KE3

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MODULOS IGBT

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DatasheetFF1200R17KE3

1200A/1700V/2U

INFINEON

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Features

El FF1200R17KE3 de Infineon es un módulo de potencia de la familia 62mm que utiliza tecnología de transistores IGBT3 con un diseño de Dual Switch (medio puente o Half-Bridge). Es uno de los módulos más utilizados en la industria pesada debido a su equilibrio entre capacidad de corriente y facilidad de montaje.

Datos Eléctricos Principales

Este módulo está diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren una conmutación eficiente:

Voltaje Colector-Emisor (Vces): 1700 Voltios.

Corriente DC Nominal (Ic): 1200 Amperios (a una temperatura de carcasa de 80°C).

Corriente de Pico Repetitiva (Icrm): 2400 Amperios.

Voltaje de Saturación (Vce sat): Típicamente 2.00V (a 125°C). Este valor bajo de saturación minimiza las pérdidas de calor durante el estado de conducción.

Potencia de Disipación Total (Ptot): Hasta 7.35 kW por módulo (a 25°C), lo que indica la enorme cantidad de energía que puede gestionar si se enfría adecuadamente.

Características Fí

Configuración Interna: Half-Bridge (Medio Puente). Contiene dos IGBTs conectados en serie con sus respectivos diodos de libre circulación, lo que permite formar una fase completa de un inversor trifásico usando tres de estos módulos.

Encapsulado: Está

Tecnología del Chip: IGBT3 con Trench y Fieldstop. Esta arquitectura permite una distribución de carga más uniforme, mejorando la robustez ante cortocircuitos.

Placa Base: Cobre sólido con aislamiento cerámico de Al2O3 (Óxido de Aluminio), lo que garantiza una excelente transferencia térmica al disipador.

Ventajas del Modelo FF1200R17KE3

Alta Robustez de Conmutación: Diseñado para soportar dV/dt (variaciones de voltaje) elevados sin disparos erráticos.

Coeficiente de Temperatura Positivo: Al igual que otros modelos de alta gama, el voltaje de saturación sube con la temperatura, permitiendo que varios módulos trabajen en paralelo de forma segura sin que uno absorba toda la corriente.

Diodo Emisor Controlado: El diodo integrado tiene una recuperación suave, lo que reduce las oscilaciones de voltaje y el ruido electromagnético en el sistema.

Aplications

Este módulo es una pieza fundamental en:

Variadores de Frecuencia (VFD): Control de motores industriales de gran tamaño (bombas mineras, ventiladores de túneles).

Sistemas de UPS Industriales: Sistemas de alimentación ininterrumpida para centros de datos o hospitales.

Inversores Solares: Convertidores centrales en plantas fotovoltaicas que transforman la energía de los paneles a la red eléctrica.

Calentamiento por Inducción: Fuentes de alimentación para hornos de fundición de metales.

Tracción Eléctrica: Sistemas de control para vehículos pesados o maquinaria de puerto.

Infineon, Formerly Eupec IGBTs

Infineon, Formerly Eupec

FF1200R17KE3

IGBT 1200A 1700V DUAL ; Type; Dual

Vces; 1700 Volts DC

Ic; 1200 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 5 MilliAmps

Iges Max; 0.4 MicroAmps

Vge(th) Min/Max; 6.4 Volts

Vce(sat) Max; 2.45 Volts

Height (mm); 38

Width (mm); 130

Depth (mm); 140 ;

FF1200R17KE3

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
FF1200R17KE3
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