FF200R12KE3

El FF200R12KE3 (o FF200R12KE3_E) de Infineon Technologies (familia 62mm C-Series) es un módulo semiconductor de potencia IGBT en encapsulado estándar industrial de 62 mm, configurado en topología de medio puente (Dual / Half-Bridge IGBT Module) con diodos de libre circulación en antiparalelo integrados, diseñado para etapas inversoras de conmutación eficiente en variadores de frecuencia, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) y convertidores de potencia.

Diseñado para operar en sistemas trifásicos de 400/480 VAC con una tensión de bloqueo colector-emisor de 1200 V y una corriente nominal continua de colector de 200 A (a Tc = 80 °C), incorpora tecnología de chip TrenchStop / Fieldstop IGBT3 junto con diodos Emitter Controlled. Cuenta con sustrato cerámico aislado de 2500 VAC / 3600 VAC, placa base de cobre de 62 mm para una óptima disipación térmica, baja inductancia parásita, terminales principales de potencia con tornillería métrica M6 y alta robustez frente a ciclos térmicos continuos.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies AG (Alemania) / eupec

Modelo / Referencia Completa: FF200R12KE3 (FF200R12KE3_E)

Familia / Encapsulado: 62mm Package C-Series

Topología de Circuito: Medio puente / 2 IGBTs en serie con diodos (Dual / Half-Bridge)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT con diodo de libre circulación

Desglose de la Nomenclatura

FF: Configuración de medio puente (Dual / Half-Bridge: 2 IGBTs + 2 diodos)

200: Corriente nominal continua de colector de 200 A

R: Conexión y disposición estándar del circuito interno

12: Clase de tensión de bloqueo colector-emisor de 1200 V (12 x 100 V)

K: Encapsulado estándar industrial de 62 mm

E3: Tecnología de chip TrenchStop / Fieldstop IGBT3 de 3ª generación

Especificaciones Eléctricas de la Etapa Inversora (IGBT)

Tensión Colector-Emisor Máxima (Vces): 1200 V (a Tj = 25 °C)

Corriente Continua de Colector (Ic):

200 A (a Tc = 80 °C)

290 A (a Tc = 25 °C)

Corriente de Colector de Pico Repetitiva (Icrm): 400 A (tp = 1 ms)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (Vce sat):

1.70 V (típico a Ic = 200 A, Vge = 15 V, Tj = 25 °C)

1.90 V (típico a Ic = 200 A, Vge = 15 V, Tj = 125 °C)

Tensión Puerta-Emisor de Umbral (Vge th): 5.0 V a 5.8 V (máx. 6.5 V)

Tensión Puerta-Emisor Máxima (Vges): +/- 20 V

Pérdida de Potencia Total por Interruptor (Ptot): Aprox. 1050 W (a Tc = 25 °C, por IGBT)

Especificaciones del Diodo de Libre Circulación (FWD)

Corriente Continua Directa (IF): 200 A

Corriente de Pico Repetitiva (IFRM): 400 A (tp = 1 ms)

Tensión Directa (VF): Aprox. 1.65 V (a IF = 200 A, Tj = 25 °C) / 1.65 V (a Tj = 125 °C)

Tecnología del Diodo: Diodo Emitter Controlled de recuperación rápida y suave (Soft Recovery)

Rendimiento Dinámico y Térmico

Frecuencia de Conmutación Recomendada: 2 kHz a 16 kHz (PWM)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa IGBT (Rth j-c): 0.12 K/W (°C/W por IGBT)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa Diodo (Rth j-c): 0.20 K/W (°C/W por diodo)

Temperatura de Unión Operativa (Tvj op): -40 °C a +125 °C

Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +125 °C

Tensión de Aislamiento Eléctrico (Visol): 2500 VAC (50 Hz / 60 Hz durante 1 minuto)

Especificaciones Mecánicas y Montaje

Dimensiones del Encapsulado: Aprox. 106.4 mm (largo) x 61.4 mm (ancho) x 30.5 mm (alto)

Terminales de Potencia: Bornes roscados con rosca métrica M6 (Par de apriete: 3.0 Nm a 6.0 Nm)

Fijación al Disipador: 4 orificios pasantes para tornillos M6 (Par de apriete: 3.0 Nm a 6.0 Nm)

Terminales de Control / Disparo: Lengüetas auxiliares tipo Faston / terminales para soldadura (2.8 mm x 0.8 mm)

Peso Aproximado: Aprox. 340 g

Variadores de frecuencia (VFD) y accionamientos para motores trifásicos industriales de 55 kW a 90 kW.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS / SAI) de media y gran escala.

Fuentes de alimentación para soldadura por arco y calentamiento inductivo.

Inversores para energías renovables (solar fotovoltaica y convertidores eólicos).

Convertidores elevadores y reductores (Buck/Boost) en sistemas de tracción y almacenamiento de energía.