GD200HFY120C2S

El GD200HFY120C2S es un módulo de potencia IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alto rendimiento, diseñado para aplicaciones industriales de conversión de potencia de media a alta capacidad.

Parámetro,Valor Típico,Descripción

Configuración,Medio Puente (Half Bridge),Contiene dos transistores IGBT y sus diodos anti-paralelo (FWD) correspondientes, ideales para construir inversores monofásicos o una fase de un inversor trifásico.

Voltaje Nominal de Bloqueo (VCES?),1200 V,Voltaje máximo de colector-emisor que puede soportar.

Corriente Nominal de Colector (IC? a TC?=100°C),200 A,Corriente continua máxima de trabajo en condiciones operativas típicas.

Tecnología de Chip,Advanced Trench FS IGBT,Ofrece baja tensión de saturación (VCE(sat)?) y baja pérdida de conmutación, con una temperatura máxima de unión de 175°C.

Capacidad de Cortocircuito,10 ?s,Tolerancia a cortocircuitos de hasta 10 microsegundos, proporcionando robustez.

Baseplate,Cobre Aislado (DBC),Base de cobre aislada mediante tecnología Direct Bonded Copper (DBC) para una excelente disipación térmica y aislamiento eléctrico.

Gracias a su configuración de medio puente, alta capacidad de corriente y bajo nivel de pérdidas, el GD200HFY120C2S es ideal para:

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS).

Inversores para Accionamientos de Motor (VFD) y amplificadores de servoaccionamiento AC/DC.

Sistemas de Calefacción por Inducción (Inductive Heating).

Soldadores Electrónicos (Electronic Welders).

Convertidores de potencia para aplicaciones industriales en general.