GD450HFT120C2S_G8

El GD450HFT120C2S_G8 de StarPower Semiconductor es un módulo de potencia IGBT de medio puente (Half-Bridge / Phase Leg IGBT Module) perteneciente a la familia de encapsulados estándar industriales de alta densidad tipo C2S (compatible con el formato estándar EconoDUAL 3).

Diseñado para aplicaciones de conversión y conmutación de energía de media y alta potencia, este dispositivo integra dos transistores IGBT con diodos de libre circulación antiparalelo (Fast Recovery Diodes - FWD) de recuperación ultrarrápida y suave, ofreciendo una tensión de bloqueo de 1200 V y una corriente nominal continua de colector de 450 A. Su tecnología de silicio Trench Field-Stop de 8.ª generación (G8) minimiza las pérdidas de conducción y conmutación (VCE(sat) reducido con coeficiente de temperatura positivo para facilitar el conexionado en paralelo), incorpora un termistor NTC integrado para supervisión térmica y cuenta con una placa base de cobre aislada galvánicamente con sustrato cerámico para operar a temperaturas de unión de hasta +150 °C / +175 °C.

Specs

Fabricante: StarPower Semiconductor Ltd.

Modelo / Referencia: GD450HFT120C2S_G8 (GD450HFT120C2S-G8)

Familia / Serie: Serie GD / High Power Half-Bridge Modules

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT de medio puente con termistor NTC (Dual IGBT Module)

Desglose de la Nomenclatura

GD: Módulo de potencia IGBT de StarPower

450: Corriente continua nominal de colector (450 A)

HF: Topología de circuito de medio puente (Half-Bridge / Phase Leg)

T: Sensor de temperatura NTC integrado

120: Tensión nominal máxima de colector-emisor (120 x 10 V = 1200 V)

C2S: Encapsulado estándar industrial compacto (compatible con huella EconoDUAL 3)

_G8: Silicio con tecnología Trench-Fieldstop de 8.ª generación

Especificaciones Eléctricas de los Transistores (IGBT)

Tensión Máxima Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Corriente Continua de Colector (IC a TC = 100 °C): 450 A

Corriente Continua de Colector (IC a TC = 25 °C): Aprox. 600 A a 650 A

Corriente de Colector Pulsada de Pico (ICM): 900 A (pulso de 1 ms)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE sat típ.):

1.70 V a 1.80 V (a IC = 450 A, VGE = 15 V, Tvj = 25 °C)

1.95 V a 2.10 V (a IC = 450 A, VGE = 15 V, Tvj = 150 °C)

Tensión Umbral Puerta-Emisor (VGE th): 5.0 V a 6.5 V (típ. 5.8 V)

Tensión Máxima Puerta-Emisor (VGES): +/- 20 V

Capacitancia de Entrada (Cies): Aprox. 28 nF a 35 nF (a 1 MHz, VCE = 25 V)

Potencia Total Disipada (Ptot por IGBT): Aprox. 2100 W a 2300 W (a TC = 25 °C)

Especificaciones del Diodo Antiparalelo (FWD)

Tensión Inversa de Pico Repetitiva (VRRM): 1200 V

Corriente Directa Continua (IF a TC = 100 °C): 450 A

Corriente Directa Pulsada de Pico (IFM): 900 A

Tensión Directa (VF típ.):

1.65 V a 1.75 V (a IF = 450 A, Tvj = 25 °C)

1.70 V a 1.85 V (a IF = 450 A, Tvj = 150 °C)

Sensor Térmico Integrado (NTC Thermistor)

Resistencia Nominal (R25): 5.0 kOhmios (a 25 °C)

Tolerancia de Resistencia: +/- 5%

Constante B (B25/50): 3375 K (+/- 1%)

Aislamiento y Características Térmicas

Tensión de Aislamiento (VISOL): 2500 VAC (50/60 Hz, 1 minuto, base a terminales)

Temperatura Máxima de Unión en Operación (Tvj op): -40 °C a +150 °C (hasta +175 °C transitorio)

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Resistencia Térmica Unión a Carcasa por IGBT (RthJC): Aprox. 0.065 K/W a 0.072 K/W

Resistencia Térmica Unión a Carcasa por Diodo (RthJC): Aprox. 0.11 K/W a 0.13 K/W

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador (RthCH): Aprox. 0.02 K/W (con grasa térmica aplicada)

Especificaciones Mecánicas y Constructivas

Tipo de Encapsulado: C2S (formato estándar de 122 mm x 62 mm / EconoDUAL 3 style)

Tecnología de Construcción: Placa base de cobre niquelado con sustrato cerámico aislado DBC

Terminales de Potencia: Terminales roscados tipo M6 para conexión de barras/pletinas

Terminales de Control: Pines de inserción soldados para montaje directo sobre PCB de control

Dimensiones del Cuerpo: 122.0 mm (largo) x 62.0 mm (ancho) x 17.0 mm (altura sobre disipador)

Par de Apriete Recomendado para Fijación (M5): 3.0 Nm a 6.0 Nm

Par de Apriete Recomendado para Terminales (M6): 2.5 Nm a 5.0 Nm

Peso Aproximado: 300 g a 340 g

Conformidad: Cumplimiento con RoHS y reconocimiento UL

Inversores centrales y de cadena para plantas de energía solar fotovoltaica.

Variadores de frecuencia de media/alta potencia y accionamientos para motores trifásicos.

Convertidores de potencia y controles de paso (pitch control) para turbinas eólicas.

Sistemas de almacenamiento de energía en baterías (BESS) y sistemas UPS industriales de gran escala.

Fuentes de alimentación para tracción eléctrica, cargadores de vehículos comerciales y soldadura industrial.