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SEMIX503GB126V1

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MODULOS IGBT

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DatasheetSEMIX503GB126V1

380A/1200V/2U

SEMIKRON

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Features

El SEMIX503GB126V1 es un módulo de potencia dual con transistores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de grado rudo industrial, diseñado y fabricado en Alemania por Semikron (marca líder global en semiconductores de potencia, integrada en la división Semikron Danfoss).

Este robusto componente de estado sólido de alta gama no es un simple transistor de montaje superficial; es una pastilla o bloque de fuerza monolítico. Su función principal en la planta es actuar como un interruptor electrónico de ultra alta velocidad y alta potencia, encargado de conmutar corrientes masivas de cientos de amperios para modular y controlar el giro de motores eléctricos trifásicos gigantescos a través de variadores de frecuencia (VFD), inversores solares o servodrivers de gran capacidad.

1. Desglose del Código de Modelo (Nomenclatura Semikron)

Cada sección grabada con láser en la carcasa plástica del módulo define su topología de silicio, amperaje y umbral de aislamiento:

503: Especifica la corriente nominal de diseño. Indica una capacidad de conducción masiva de hasta 500 Amperios (A) continuos operando a temperaturas estándar de la placa.

GB: Define la topología del circuito interno. Las letras GB significan de forma estricta Configuración de Medio Puente (Half-Bridge / Dual Topology). Contiene dos IGBTs conectados en serie en un solo bloque.

126: Especifica el voltaje de ruptura térmica. El número 12 indica un límite de 1200 Voltios (1.2 kV), lo que le permite operar con total holgura en redes industriales pesadas de 440V, 460V y 480V CA.

V1: Indica la variante o revisión exacta del diseño físico de las terminales, la disposición de los pines de control y los diodos de libre circulación de última generación integrados.

Las especificaciones técnicas del chip de silicio de Semikron definen las capacidades de corte en el inversor:

Voltaje Colector-Emisor Máximo (Vces): 1200 V (Voltios). Es el límite de bloqueo que tolera el transistor cuando está en estado OFF antes de sufrir una ruptura por arco interno.

Corriente de Colector Continua (Ic): 500 A (Amperios) manteniendo la base a una temperatura controlada de 25°C, o aproximadamente 350A a 80°C continuos en régimen de trabajo pesado en la planta.

Corriente de Pico Transitoria (Icrm): Capaz de soportar pulsos de corriente de arranque accidentales de hasta 1000 A durante fracciones microscópicas de milisegundos.

Voltaje de Saturación Colector-Emisor (Vce(sat)): Típicamente entre 1.7V y 2.1V. Es la caída de voltaje inevitable que sufre el IGBT cuando está completamente encendido (ON), la cual se disipa por completo en forma de calor hacia el disipador de aluminio.

Diodos de Libre Circulación Integrados (Freewheeling CAL Diodes): Cada uno de los dos IGBTs tiene un diodo de silicio de alta velocidad conectado en paralelo inverso. Estos diodos son críticos para atrapar y extinguir de forma segura las corrientes inductivas inversas masivas generadas por el devanado de cobre del motor eléctrico al momento de apagar el transistor.

3. Topología de Circuito Interno y Distribución de Terminales

Al observar el módulo SEMIX503GB126V1 desde la parte superior, el bloque aloja una arquitectura de medio puente configurada para armar una de las fases del motor:

Terminal de Fuerza 1 (Cálculo de barra positiva / DC+): Se conecta al riel positivo de corriente directa proveniente del banco de capacitores del variador de frecuencia.

Terminal de Fuerza 2 (Fase de Salida / AC Output / U, V, W): Es el punto intermedio del medio puente. De aquí viaja el cable de fuerza grueso directamente hacia uno de los tres bornes del motor eléctrico.

Terminal de Fuerza 3 (Cálculo de barra negativa / DC-): Se conecta al riel negativo de corriente directa del banco de capacitores.

Pines Pequeños Frontales (Pines de Control): Destinados a conectar la tarjeta electró

Aplications

Debido a su colosal capacidad de 500A y 1200V, este módulo Semikron es la refacción principal en la etapa de potencia de:

Variadores de Frecuencia de Gran Caballaje (High-Power VFDs): Módulos inversores de salida de marcas como Yaskawa, Siemens (Sinamics), ABB o Danfoss encargados de controlar motores eléctricos trifásicos de más de 150 HP en molinos, bombas de agua municipales y ventiladores de tiro forzado.

Inversores de Energía Solar y Eólica Conectados a la Red: Sistemas encargados de rectificar e inyectar los kW generados por los paneles solares o aerogeneradores hacia la red eléctrica de alta tensión de la planta.

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida Industriales (UPS Gigantes): Inversores de respaldo para sostener la energía de centros de datos completos o salas de instrumentación ante fallas en la red comercial.

Fuentes de Poder para Soldadura de Alta Resistencia y Hornos de Inducción: Modulación de altas frecuencias para la fundición y tratamiento térmico de metales en acereras.

SEMIKRON
SEMIX503GB126V1

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
SEMIX503GB126V1
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