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SKM100GB124D
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SKM100GB124D
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Features
Low Loss IGBT MODULE
MOS input (voltage controlled)
N channel, homogeneous Silicon
structure (NPT-Non punch-through IGBT )
Low loss high density chip
Low tail current
High short circuit capability, self limiting to 6 x Icnom
Latch-up free
Fast & soft inverse CAL diodes
Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology
Large clearance ( 10 mm ) and creepage distances ( 20 mm )
Aplications
Applications
Switching (not for linear use)
Semikron IGBT
Semikron
SKM100GB124D
IGBT 100A 1200V DUAL
SKM100GB124D
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- SKM100GB124D
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