SKM400GB12E4H10

El SKM400GB12E4H10 de Semikron es un módulo de potencia IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alto rendimiento, diseñado bajo la arquitectura SEMITRANS 3. Esta variante específica incluye características optimizadas para una gestión térmica superior y una alta densidad de corriente.

Este componente esta configurado como un medio puente (Half-Bridge), lo que significa que integra dos IGBTs y dos diodos de libre circulacion (freewheeling diodes) conectados en serie dentro de una misma carcasa.

Tecnologia del chip: IGBT4 (Trench Field Stop).

Tipo de diodo: CAL 4 (Controlled Axial Lifetime), que ofrece una recuperacion suave y minimiza las perdidas por conmutacion.

Base: Placa base de cobre aislada eléctricamente mediante tecnología DBC (Direct Bonded Copper).

Corriente Continua de Colector (I_C): 400 A (medido a una temperatura de carcasa T_C = 80 C).

Corriente de Colector Nominal (I_Cnom): 400 A.

Voltaje de Saturación Colector-Emisor (V_CE sat): Típicamente 1.85 V a 400 A y 125 C, lo que reduce las perdidas de potencia en estado de conducción.

Voltaje Directo del Diodo (V_F): Típicamente 2.16 V a 400 A.

El sufijo H10 en los modelos de Semikron suele hacer referencia a mejoras especificas en la robustez o en la resistencia térmica:

Temperatura de operación (T_jop): Soporta una temperatura de unión de hasta 150 C de forma continua (con picos transitorios de hasta 175 C).

Capacidad de sobrecarga: Diseñado para soportar ciclos de carga pesada en aplicaciones de tracció

Baja inductancia: El diseño interno minimiza las inductancias parásitas, reduciendo los sobrevoltajes durante el apagado rápido del dispositivo.

Este módulo es un componente crítico en sistemas de conversión de energía de alta potencia, tales como:

Variadores de frecuencia (VFD) de alta capacidad para motores trifásicos.

Inversores solares centrales y convertidores eólicos.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) industriales.

Equipos de calentamiento por inducción y soldadura de alta potencia.