SKM50GB123D

El SKM50GB123D es un módulo de potencia IGBT de la familia SEMITRANS 2 de Semikron, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren un manejo de voltaje más elevado que el modelo anterior, alcanzando los 1200 V.

Este componente es un estándar en la industria gracias a su configuración de medio puente (half-bridge), que integra dos transistores IGBT y dos diodos de recuperación rápida en un solo encapsulado robusto.

Especificaciones Eléctricas Principales

Voltaje Colector-Emisor (Vces): 1200 V (Ideal para redes de 440V - 480V AC).

Corriente de Colector Continua (Ic): 50 A (a una temperatura de carcasa de 70°C) o hasta 70 A (a 25°C).

Voltaje de Saturación (Vce sat): Típico de 2.5 V a 125°C.

Corriente de Pico Repetitiva (Icrm): 100 A.

Voltaje de Aislamiento: 2500 V AC (entre terminales y placa base).

Tecnología del Chip: IGBT3 (Trenchgate) con diodos CAL (Controlled Axial Lifetime).

Características Físicas y Mecánicas

Encapsulado: SEMITRANS 2 (Placa base de cobre aislada térmicamente).

Dimensiones de la Base: 94 mm de largo por 34 mm de ancho.

Terminales de Potencia: Conexiones robustas mediante tornillos M5.

Terminales de Control: Pines para soldadura (Gate y Emisor auxiliar).

Peso Aproximado: 160 gramos.

Montaje: Requiere el uso de pasta térmica (Thermal Paste) para asegurar una correcta disipación hacia el disipador de calor.

Debido a su rango de 1200 V, este módulo es la pieza clave en:

Variadores de Frecuencia (VFD): Control de motores trifásicos de servicio pesado.

Inversores Solares: Conversión de energía en plantas fotovoltaicas de escala industrial.

Fuentes de Alimentación de Respaldo (UPS): Sistemas críticos que operan con bancos de baterías de alto voltaje.

Calentamiento por Inducción: Equipos industriales que requieren conmutación de alta potencia y frecuencia moderada.

Sistemas de Frenado Dinámico: Utilizado como interruptor de chopper para disipar energía en motores eléctricos.