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MTB3N120E/D

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Sin impuestos

Refacciones Electrónicas en general

PDF MTB3N120E/D

Características Eléctricas: 3A/1200V/1U

Marca: No identificado

Venta de Refacciones Industriales SCR , Módulos de Potencia , Diodos Rectificadores y más.

Cantidad
Agotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • TMOS POWER FET
  • Features
  • Avalanche Energy Capability Specified at
  • Elevated Temperature
  • Low Stored Gate Charge for Efficient Switching
  • Internal Source-to-Drain Diode Designed to
  • Replace External Zener Transient Suppresor
  • Absorbs High Energy in the Avalanche Mode
  • Source -to Drain Diode Recovery time Compatible
  • to Discrete Fast Recovery Diode
  • Very Wide input Voltage Range; Off-line Flybacks
  • Switching Power Supply

Marca:

No identificado

Características electricas: 3A/1200V/1U

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